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超寬禁帶六方氮化硼二維原子晶體及其光電器件Growth of ultra-wide band-gap two-dimensional hexagonal boron nitride for optoelectronic devices張興旺中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員ZHANG XingwangProfessor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences

平片藍(lán)寶石襯底上高質(zhì)量AlN材料MOCVD外延生長High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD趙德剛中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS

陳雄斌研究員在報(bào)告中介紹了單向710Mbps傳輸VLC系統(tǒng)和對(duì)稱的100Mbps互聯(lián)網(wǎng)接入系統(tǒng)。他表示，可見光通信這項(xiàng)無線光通信新技術(shù)比

中科院半導(dǎo)體所張翔帶來了關(guān)于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質(zhì)量氮化鋁薄膜外延層的報(bào)告，分享了該領(lǐng)域的研究動(dòng)態(tài)以及研究成果。

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員，科技部重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃專項(xiàng)項(xiàng)目負(fù)責(zé)人王軍喜分享《深紫外LED研發(fā)進(jìn)展及國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃深紫外項(xiàng)目》

報(bào)告簡(jiǎn)介：基于深層瞬態(tài)光譜學(xué)的Al/Ti 4H-SiC肖特基結(jié)構(gòu)缺陷研究 Investigation of Defect Levels of Al/Ti 4H-SiC Schottky Structures byDeep Level Transient Spectroscopy何亞偉 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 HE Yawei Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences

中科院半導(dǎo)體研究所的研究員總工程師伊?xí)匝喾窒砹恕暗锛{米線可控生長與器件應(yīng)用展望”主題報(bào)告。 她表示，目前從芯片發(fā)展趨勢(shì)技術(shù)上來看，一個(gè)是性能的提升，可以用納米線的新的結(jié)構(gòu)形式去考慮，從器件的結(jié)構(gòu)上怎么樣提高性能。第二個(gè)芯片發(fā)展到這個(gè)階段，將來的天花板是顯示屏等等，我們面臨非常廣泛的應(yīng)用空間，從應(yīng)用的角度可以提出來對(duì)芯片的要求，我們可以根據(jù)應(yīng)用設(shè)計(jì)出來全新結(jié)構(gòu)的芯片結(jié)構(gòu)形式，現(xiàn)在提的比較多的農(nóng)業(yè)、可穿戴、定位和通訊、顯示，論壇上MicroLED顯示還是大家非常關(guān)注的，還有智能光源、智慧城市跟光電的集成

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員楊華在介紹了照明與顯示技術(shù)的集成框架研究報(bào)告。他表示，技術(shù)、成本和應(yīng)用場(chǎng)景是照明與現(xiàn)實(shí)技術(shù)融合的關(guān)鍵因素。通過對(duì)光源技術(shù)發(fā)展的分析目前主要的照明技術(shù)與顯示技術(shù)的基本架構(gòu)、控制難度和成本組成。給出了照明與現(xiàn)實(shí)技術(shù)融合的技術(shù)與成本條件。同時(shí)對(duì)照明與現(xiàn)實(shí)技術(shù)融合的應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行了分類分析。 　　照明和顯示的融合是隨著燈具技術(shù)適應(yīng)更多樣化的需求以及顯示控制技術(shù)成本的降低，使得產(chǎn)品既能提供一定顯示功能，同時(shí)也能夠提供照明功能技術(shù)趨勢(shì)，它主要涉及到的技術(shù)內(nèi)容可能包括廉價(jià)怎么降低成本

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所固態(tài)照明研發(fā)中心張連分享“選擇區(qū)域生長AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的n-AlGaN發(fā)射器”研究報(bào)告。 張連表示，GaN基異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）具有本征優(yōu)點(diǎn)，例如更高線性度，常關(guān)工作模式和更高的電流密度。然而，其發(fā)展進(jìn)度緩慢。一個(gè)主要問題是由低自由空穴濃度引起的基極層的低導(dǎo)電性，以及外部基極區(qū)域的等離子體干蝕刻損傷。雖然一些研究人員使用選擇性區(qū)域再生來減輕基層的損害，但工作后沒有顯著的進(jìn)步。最常見的因素之一是難以獲得高質(zhì)量的選擇性區(qū)域再生長基底層和發(fā)射極層。通過使用選擇