亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

新型MO源及在第三代半導體中的應用Novel MO Sources and Their Applications in Wide Bandgap Semiconductors楊敏江蘇南大光電材料股份有限公司首席科學家

半導體行業(yè)對高純電子化學品質(zhì)量管理的高要求High requirements for the quality management of high-purity electronic chemicals in Semiconductor俞冬雷安徽亞格盛電子新材料有限公司副總經(jīng)理YU DongleiVice General Manager of Anhui Argosun?New Electronic Materials Co., Ltd

平片藍寶石襯底上高質(zhì)量AlN材料MOCVD外延生長High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD趙德剛中國科學院半導體所研究員ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS

在開幕式上，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲作了題為《化合物半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略思考》的主旨演講，就產(chǎn)業(yè)發(fā)展目前的形勢，存在的問題，面臨的挑戰(zhàn)等方面的問題分享了觀點看法。

當前，人們對于綠色、環(huán)保、安全的重視度在不斷的提高，隨著全球化加速發(fā)展，公共衛(wèi)生風險對人口流動和經(jīng)濟活動造成前所未有的限制，防范和化解重大疫情和突發(fā)公共衛(wèi)生風險的重要性不言而喻。基于第三代半導體氮化鎵材料的紫外LED光源具有節(jié)能環(huán)保、壽命長、開啟速度快、輻射強度可控、光譜可定制等優(yōu)勢，成為維護公共衛(wèi)生安全的重要力量。紫外LED是半導體光電產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新藍海，雙碳戰(zhàn)略也給包括紫外LED產(chǎn)業(yè)在內(nèi)的綠色環(huán)保節(jié)能產(chǎn)

第三代半導體材料在不同領域的應用非常廣泛，其中，LED可以說是其第一個較成熟的應用突破口，伴隨著元宇宙等新時代的展開，Micro-LED顯示應用又迎來了一波新的發(fā)展機遇，作為應用的支撐，技術的發(fā)展水平非常重要。張榮教授分享了其帶領的團隊在氮化物半導體基顯示技術方面的最新研究及成果。報告結合Micro-LED的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)，從外延結構設計、芯片制備、全彩化方案、系統(tǒng)集成、納米LED等方面詳細分享了團隊最新的多個研究發(fā)現(xiàn)和研究

寬禁帶材料具有非中心對稱的晶體結構，因而表現(xiàn)出顯著的壓電特性，長期以來這些材料中壓電極化電荷和半導體特性的耦合過程被忽略。近年來對于壓電電子學和壓電光電子學的基礎及應用研究取得了快速地發(fā)展。多種功能材料中的壓電電子學和壓電光電子學的基本效應得到了系統(tǒng)深入地研究，相關的理論體系得以建立，諸多壓電電子學和壓電光電子學器件也被設計研發(fā)。會上，王中林院士帶來了壓電學理論與研究成果的分享，報告結合具體的數(shù)據(jù)

中國科學院院士、西安電子科技大學郝躍教授帶來了超寬禁帶半導體器件與材料的若干新進展 的主題報告；中科院外籍院士、中國科學院北京納米能源與系統(tǒng)研究所王中林院士帶來了第三代半導體中的壓電電子學與壓電光電子學的主題報告；廈門大學校長張榮教授介紹了氮化物半導體基 Micro-LED顯示技術新進展；大會主席、中國科學院半導體研究所李晉閩研究員帶來了氮化物深紫外LED光源助力公共衛(wèi)生安全 的主題報告。幾大精彩主題報告，從技

半導體激光器的理論和實踐都取得巨大成果。近年來,GaAs基大功率半導體激光器憑其優(yōu)勢，在眾多領域得到廣泛應用。但是GaAs基大功率半導體激光器仍面臨著功率不足、發(fā)熱量大及光束質(zhì)量差的問題。光電性能差是限制其應用的關鍵問題，如何進一步提高激光器的光電性能是半導體激光器面臨的挑戰(zhàn)。朱振博士在報告中，詳細分享了GaAs半導體激光器關鍵技術及最新研究進展，報告指出基于GaAs襯底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x

以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導體是研制短波長光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質(zhì)量、低成本的同質(zhì)GaN和AlN襯底，氮化物半導體主要通過異質(zhì)外延，特別是大失配異質(zhì)外延來制備。由此導致的高缺陷密度、殘余應力成為當前深紫外發(fā)光器件、功率電子器件等氮化物半導體器件發(fā)展的主要瓶頸，影響了材料和器件性能的提升。沈波教授在報告中，結合氮化物半導體面臨的大失配外延生長問題、詳細分

主題對話環(huán)節(jié)，北京大學沈波教授主持下，中科院半導體所研究員趙德剛，中微半導體公司副總裁兼MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平，清華大學長聘副教授汪萊，中科院蘇州納米所研究員孫錢，南京大學教授陳鵬，中科院長春光機所研究員孫曉娟，南京大學教授陸海，江南大學教授敖金平，中國科學技術大學微電子學院執(zhí)行院長、教授龍世兵，浙江大學研究員、電力電子技術研究所副所長楊樹，中科院微電子研究所研究員黃森等學界、業(yè)界中青代骨干

氧化鎵半導體器件龍世兵*，徐光偉，趙曉龍，侯小虎中國科學技術大學

一種基于寬禁帶半導體材料的微孔陣列同位素電池張佳辰，韓運成*，王曉彧，何厚軍，任雷，李桃生中國科學院合肥物質(zhì)科學研究院中國科學技術大學湖北科技學院

銻化物超晶格紅外探測器的MOCVD生長技術研究吳東海中國科學院半導體研究所

基于寬禁帶半導體的深紫外發(fā)光與探測器件研究吳峰*，戴江南，陳長清華中科技大學

寬禁帶氧化物半導體日盲紫外探測器及其在大氣臭氧檢測中的應用研究劉可為*，陳星，楊佳霖，韓冬陽，侯其超，申德振中國科學院長春光學精密機械與物理研究所

寬禁帶半導體紫外、極紫外及軟x射線探測器陸海*，張榮，鄭有炓南京大學

GaN基Micro-LED同質(zhì)外延及其性能表征王國斌*，閆其昂，周溯沅，李增林，蘇旭軍，劉宗亮，王建峰，徐科江蘇第三代半導體研究院有限公司中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所蘇州納維科技有限公司

用于片上通信的日盲波段光電集成芯片何瑞，魏同波*，王軍喜，李晉閩中國科學院半導體研究所

促進寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)化的關鍵外延技術The key epitaxial technology to promote the industrialization of wide bandgap semiconductors方子文德國愛思強股份有限公司中國區(qū)副總經(jīng)理FANG ZiwenDeputy General Manage，China AIXTRON SE