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提高AlGaN基DUV-LED效率的薄p-GaN上的銀基鏤空反射電極Ag-based hollow reflective electrode on thin p-GaN layer for improving the light output efficiency of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes周玉剛南京大學電子科學與工程學院教授ZHOU YugangProfesor of School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University

利用泵浦-探測瞬態(tài)反射顯微技術(shù)測定立方砷化硼的高雙極性遷移率High Ambipolar Mobility in Cubic Boron Arsenide（BAs）Revealed by Transient Reflectivity Microscopy劉新風國家納米科學中心研究員,中科院納米標準與檢測重點實驗室副主任LIU XinfengProfessor of National Nanoscience Center, Deputy director of the Key Laboratory of Standardizaiton and Characteriaziton of the Chinese Academy of Sciences

集成反射器的封裝技術(shù)用于提升高功率UVC LED芯片的光提取效率Enhanced Light Extraction Efficiency of high power UVC LEDs by SMD-Packaging with Integrated Reflectors胡曉東德國MSG Lithoglas GmbH亞太地區(qū)總監(jiān)HU XiaodongDirector of Asia Pacific Region of MSG Lithoglas GmbH, Germany

無損表征氮化鎵外延熱物性的瞬態(tài)熱反射技術(shù)Transient thermoreflectance technique for non-invasively characterizing the thermal properties of GaN epitaxial wafer袁超武漢大學工業(yè)科學研究院研究員YUAN ChaoProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University

俄羅斯STR 集團有限公司Mark RAMM介紹了《塑造-LED芯片形成內(nèi)部微反射器，提高出光效率的一種方式》主題報告。他表示，微型LED在極高電流密度下工作的光源，其器件自熱、由俄歇復(fù)合引起的效率下降和表面復(fù)合成為限制器件性能的主要因素。特別是當器件尺寸減小時，表面復(fù)合導(dǎo)致-LED峰值效率向更高電流密度處偏移且數(shù)值降低。早期對-LED的研究主要集中在它們的電流調(diào)制特性上。直到最近，效率提高才成為-LED的研究熱點。通常，-LED的

耶魯大學研究科學家宋杰分享了“納米孔GaN作為高反射和熔覆層的III族氮化物激光器”報告。他表示，我們制備了由納米孔狀的GaN和無孔GaN薄膜的周期結(jié)構(gòu)組成的布拉格反射層，通過4～5對的DBR層就獲得了高達99.9%的放射率，并且顯著地提高了激光二極管結(jié)構(gòu)中的光學限制因子，使得閾值材料gain降低至400cm-1，比之前報道的低了二倍，表明我們可以顯著地降低激光器的開啟閾值電流以及提高光電轉(zhuǎn)化效率。同時，我們也采用納米孔狀的GaN和無孔GaN組成的布拉格反射層引用到VCSEL結(jié)構(gòu)中，實現(xiàn)了光激射的VCSE