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《硅基氮化鎵外延材料射頻損耗產生機理及其抑制方法》作者：馬騁，楊學林，劉丹爍，蔡子東，陳正昊，沈波單位：北京大學物理學院人工微結構與介觀物理國家重點實驗室

《大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長研究》作者：劉建勛，詹曉寧，孫秀建，黃應南，高宏偉，孫錢，楊輝單位：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所，中國科學技術大學納米技術與納米仿生學院

《新型GaN外延結構及其應用》作者：程凱單位：蘇州晶湛半導體有限公司

《基于高溫熱退火技術的半極性AlN外延薄膜缺陷演化研究》作者：陳荔，郭煒，林偉，陳航洋，康俊勇，葉繼春單位：中國科學院寧波

《石墨烯驅動的應力工程實現用于深紫外LED的無應變AlN薄膜的高質量外延》作者：常洪亮，魏同波，王軍喜，李晉閩單位：中國科學院

中微半導體設備（上海）有限公司副總裁MOCVD產品事業(yè)部總經理郭世平帶來了《氮化物深紫外LED生產型MOCVD機臺設計及外延生長的挑

垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本襯底而引起了人們對大功率應用的廣泛關注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關鍵問題是在硅襯底上實現低位錯密度和連續(xù)厚氮化鎵層具有挑戰(zhàn)性。會上，北京大學馮玉霞博士結合具體的研究實踐，分享了Si襯底上GaN基外延材料生長及雜質缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據N位點的明確證據。

中科院半導體所張翔帶來了關于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質量氮化鋁薄膜外延層的報告，分享了該領域的研究動態(tài)以及研究成果。

挪威科學技術大學教授，挪威科學技術院院士Helge WEMAN帶來了題為采用石墨烯襯底和透明底部電極的AlGaN納米線外延 UV LED的主題

報告嘉賓：Aixtron China Limited大客戶經理李曜 報告主題：《針對未來GaAs/InP基激光器的外延大規(guī)模生產》

報告嘉賓：西安唐晶量子科技有限公司 CEO龔平博士 報告主題：《5G/人工智能時代外延代工的機遇與挑戰(zhàn)》

視頻簡介：下一代半導體器件外延制備前期的襯底清理技術 In-situ Wafer Cleaning for Pre-Epitaxial Deposition for Next Generation Semiconductor DevicesIsmail I. KASHKOUSH美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術官 Ismail I. KASHKOUSHChief Technology Officer (CTO) of NAURA-Akrion, Inc., USA

報告嘉賓：AIXTRON SE高級產品經理Sven Bauerdick 報告主題：《AIX G5WW C - 開創(chuàng)SiC外延量產新紀元》

北京大學劉放做了題為高質量h-BN薄層和針對III族氮化物外延的緩沖層應用的主題報告，分享了在Al2O3（0001）基底上MBE異位高溫退火合成結晶h-BN，晶體h-BN作為Ⅲ族氮化物外延柔性緩沖層的應用的研究成果。

鄭州大學教授劉玉懷做了題為氮化鋁/藍寶石模板上六方氮化硼薄膜的有機金屬氣相外延研究的報告，介紹了多層h-BN膜的表面和結晶度、微觀結構和鍵合結構。h-BN在AlN上的生長模型等研究內容。研究成功證明了通過脈沖模式MOVPE在AlN模板上直接生長單晶多層h-BN，在AlN表面上形成連續(xù)和聚結的多層h-BN，提出了初始帽形核的生長模型，然后在AlN上進行h-BN的二維橫向生長。

同步輻射X射線衍射法實現氮化鎵襯底及同質外延薄膜晶格面傾斜可視化 Synchrotron x-ray diffraction-based visualization of lattice-plane tilting of a GaN substrate and epitaxial film坂田修身日本國立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長，東京工業(yè)大學兼職教授 Osami SAKATAStation Director of the Synchrotron X-ray Station at SPring-8 and the Group Leaders of the Synchrotron X-ray group and the Synchrotron X-ray

德國愛思強股份有限公司Vincent MERIC分享了化合物半導體外延量產解決方案，討論6英寸到8英寸的GaAs VCSEL激光器、GaN/InGaAs Mi

對話內容：Micro LED在今年吸引了大家的眼球，由于其優(yōu)良的光電學特性，Micro LED很有希挑戰(zhàn)現有的LCD及OLED技術，掀起一場顯示器技術的革命。在2018年10月24日召開的ChinaSSL會議上，聯(lián)盟有幸采訪到來自德國愛思強的產品線總監(jiān)Jens Voigt博士。Voigt博士自2001年加入AIXTRON并擔任外延工藝科學家一職，主要負責氮化鎵MOCVD外延生長以滿足LED生產需求。他現任德國愛思強產品線總監(jiān)，負責MOCVD外延機臺的銷售，服務以及市場拓展工作。此次Voigt博士針對Mic

日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶體塊體和外延生長的報告，分享了其最新研究成果。

德國 ALLOS semiconductors GmbH 總裁Alexander LOESING分享了“用于微LED的具有精確應變控制和優(yōu)異發(fā)射均勻性的200mm硅基鎵氮LED外延片”報告。他表示，精準的應變控制對硅基鎵氮的晶圓，能夠通過結合形成中間層來獲得，能夠讓我們有精確的應變控制，之前產業(yè)是沒有想象過的，能夠讓我們實現剛剛說的五大特點。問題是什么？ 副作用是什么？我們看沒有幅面的作用，對于我們生產來說是完全可以實現的。