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  • 【視頻報(bào)告 2018】復(fù)
    復(fù)旦大學(xué)副教授田朋飛分享了《智能GaN基micro-LED陣列》研究報(bào)告。GaN基micro-LED (霯ED)陣列可用于高亮度微顯示、高效率固態(tài)照明和高速可見光通信的高帶寬發(fā)光芯片。通過結(jié)合以上功能，可以實(shí)現(xiàn)用于大數(shù)據(jù)和物聯(lián)網(wǎng)的智能霯ED系統(tǒng)。至今為止，還未有將霯ED陣列用于高帶寬探測(cè)器(PD)的報(bào)道。
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    limit2021-04-29 12:27
  • 【視頻報(bào)告 2018】復(fù)
    復(fù)旦大學(xué)副教授張樹宇在《135%NTSC色域的CsPbX3鈣鈦礦量子點(diǎn)薄膜》主題報(bào)告中表示，全無機(jī)CsPbX3 (X=I, Br, Cl)鈣鈦礦量子點(diǎn)(QDs)由于其優(yōu)異的光學(xué)性能，包括極高的光致發(fā)光量子產(chǎn)率、狹窄的譜線寬度和廣泛的可調(diào)發(fā)射，很可能成為下一代量子點(diǎn)顯示技術(shù)。在制造過程中避免高溫和惰性氣氛的新方法是室溫(RT)再結(jié)晶，為低成本大批量生產(chǎn)CsPbX3 QDs提供了一條很有前途的途徑。然而，RT合成的QDs在工作條件下的穩(wěn)定性性能與傳統(tǒng)QDs不具
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    limit2021-04-29 12:27
  • 【視頻報(bào)告 2018】株
    株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部副總經(jīng)理研發(fā)中心主任戴小平介紹了《多電飛機(jī)平面封裝型碳化硅功率模塊》技術(shù)報(bào)告；
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    limit2021-04-29 12:27
  • 【視頻報(bào)告 2018】基
    深圳基本半導(dǎo)體有限公司副總經(jīng)理張振中介紹了《高性能 3D SiC JBS 二極管》主題報(bào)告；張振中對(duì)各種類型的碳化硅器件，包括高壓PiN二極管、高溫JBS二極管、SBD管、平面及溝槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二極管、MESFET都有從版圖設(shè)計(jì)引入到量產(chǎn)工藝開發(fā)直到后期失效分析及良率提升等一系列的工藝技術(shù)IP和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)。
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報(bào)告 2018】Vic
    美國(guó)電力副執(zhí)行主任兼首席技術(shù)官、美國(guó)北卡羅萊納州立大學(xué)教授Victor Veliadis帶來《10 kV 4H-SiC晶體管基面位錯(cuò)和耐久性的影響》；
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報(bào)告 2018】Mie
    瑞典皇家工學(xué)院工程科學(xué)院教授Mietek BAKOWSKI以瑞典視角分享了《WBG電力設(shè)備的現(xiàn)狀和采用前景》，報(bào)告中介紹了由瑞典創(chuàng)新局（Vinnova）和瑞典能源管理局以及碳化硅電力中心資助的選定工業(yè)和研究項(xiàng)目的概況和重點(diǎn)。示例展示了基于WBG的電力電子能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)在各種應(yīng)用中的節(jié)能方面的革命性進(jìn)展。簡(jiǎn)要介紹了瑞典材料、技術(shù)和設(shè)備研發(fā)領(lǐng)域的相關(guān)項(xiàng)目。
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報(bào)告 2018】Ado
    瑞典Ascatron AB 首席技術(shù)官Adolf SCHÖNER介紹了《10千伏高壓4H碳化硅PIN二極管的少子壽命調(diào)制》技術(shù)報(bào)告；
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報(bào)告 2018】P.S
    高溫、高功率寬帶隙半導(dǎo)體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長(zhǎng)過程。今天，SiC是通過氣相或液相法生長(zhǎng)的，它包括下列過程：反應(yīng)物的生成、反應(yīng)物到生長(zhǎng)表面的傳輸、生長(zhǎng)表面的吸附、成核和最終晶體生長(zhǎng)。GT Advanced Technologies首席技術(shù)官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術(shù)的最新進(jìn)展》技術(shù)報(bào)告，報(bào)告中介紹了不同的SiC晶體生長(zhǎng)過程以及SiC技術(shù)的最新進(jìn)展。
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    limit2021-04-29 12:25
  • 【視頻報(bào)告 2018】周
    美國(guó)倫斯勒理工學(xué)院的周達(dá)成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性》；
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    limit2021-04-29 12:25
  • 【視頻報(bào)告 2018】香
    矩陣轉(zhuǎn)換器被認(rèn)為是一種最優(yōu)異的交流-交流功率轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，因?yàn)槠渲饕蕾囉陔p向開關(guān)而幾乎不需要其他被動(dòng)組件。它不僅提升了能量轉(zhuǎn)換效率，而且可以突破傳統(tǒng)的通用逆變器所存在的開關(guān)切換速度，工作溫度以及電壓等級(jí)的限制。在此基礎(chǔ)下，新型碳化硅（SiC）組件以及先進(jìn)功率器件封裝的應(yīng)用將帶來新一代矩陣轉(zhuǎn)換器的重大發(fā)展與變革。香港應(yīng)用科技研究院功率器件組總監(jiān)袁述分享了《新一代碳化硅矩陣變換器》主題報(bào)告，報(bào)告中回顧矩陣轉(zhuǎn)
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    limit2021-04-29 12:25
  • 【視頻報(bào)告 2018】Kaz
    特阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)的Kazuhiro OHKAWA教授介紹了《AlGaN 材料MOCVD生長(zhǎng)優(yōu)化和反應(yīng)器設(shè)計(jì)》研究報(bào)告。報(bào)告中，在較寬的壓力、Al /（Ga + Al）比例和溫度范圍內(nèi)成功仿真AlGaN生長(zhǎng)?？紤]到適量聚合物的形成，仿真中AlGaN的生長(zhǎng)速率和組分與實(shí)驗(yàn)中的非常一致。這一技術(shù)使我們有可能優(yōu)化氮化物MOCVD并設(shè)計(jì)升級(jí)反應(yīng)器。
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    limit2021-04-29 12:24
  • 【視頻報(bào)告 2018】維
    美國(guó)維易科精密儀器有限公司市場(chǎng)營(yíng)銷總監(jiān)Mark MCKEE分享了《Micro-LED顯示屏：關(guān)鍵制造挑戰(zhàn)和MOCVD技術(shù)》報(bào)告。他介紹到，微型LED顯示屏比其他顯示技術(shù)，如背光LED顯示屏、OLED顯示屏和等離子顯示屏，具有更高的亮度、更高的功率效率，而且更加堅(jiān)固柔韌。然而，微型LED顯示屏的缺點(diǎn)之一是制作復(fù)雜，這導(dǎo)致了較高的顯示成本。在嚴(yán)格堅(jiān)持目標(biāo)成本的同時(shí)，微型LED顯示屏優(yōu)秀性能和良率為其制造帶來了許多挑戰(zhàn)。報(bào)告中提出，從外延和LE
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    limit2021-04-29 12:24
  • 【視頻報(bào)告 2018】中
    中電科電子裝備集團(tuán)有限公司離子注入機(jī)技術(shù)總監(jiān)張叢分享了《國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)發(fā)展及應(yīng)用》主題報(bào)告。
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    limit2021-04-29 12:24
  • 【視頻報(bào)告 2018】江
    　江蘇大學(xué)左然教授分享了《AlN MOCVD的氣相和表面反應(yīng)機(jī)理的量子化學(xué)計(jì)算》研究報(bào)告。他介紹到，課題組利用量子化學(xué)的密度泛函
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  • 【視頻報(bào)告 2018】中
    中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司副總裁MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平帶來了《氮化物深紫外LED生產(chǎn)型MOCVD機(jī)臺(tái)設(shè)計(jì)及外延生長(zhǎng)的挑
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    limit2021-04-29 12:23
  • 【視頻報(bào)告 2018】北
    北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司產(chǎn)品總監(jiān)董博宇帶來了《磁控濺射制備的ITO薄膜在LED領(lǐng)域中的開發(fā)及應(yīng)用》主題報(bào)告。
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  • 【視頻報(bào)告 2018】南
    【極智報(bào)告】南京大學(xué)陳琳：6英寸GaN襯底生長(zhǎng)用HVPE反應(yīng)腔的三維數(shù)值模擬
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    limit2021-04-29 12:23
  • 【視頻報(bào)告 2018】西
    西安電子科技大學(xué)趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)的常關(guān)型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報(bào)告。他介紹說，在SiC襯底上實(shí)現(xiàn)了高性能的柵長(zhǎng)為0.1um的常關(guān)型薄勢(shì)壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術(shù)并結(jié)合氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高性能的常關(guān)型器件，其閾值電壓達(dá)到0.6V，飽和電流達(dá)到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導(dǎo)達(dá)到412mS/mm，電流截止頻率達(dá)到61GHz，最大
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    limit2021-04-29 12:21
  • 【視頻報(bào)告 2018】敖
    日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平在《用于微波無線電能傳輸?shù)牡壣漕l肖特基二極管》報(bào)告中介紹到：無線電能傳輸技術(shù)是非常有前景的新技術(shù)，可以用在各種各樣的無線系統(tǒng)，比如無線充電、能量收割、無處不在的電源和建筑物內(nèi)的電源供應(yīng)等。在微波無線電能傳輸系統(tǒng)里，通常采用天線整流電路（rectenna）來完成RF到DC的能量轉(zhuǎn)換。天線整流電路廣泛地用到肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）。但是，目前市場(chǎng)上很難找到能在天
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    limit2021-04-29 12:21
  • 【視頻報(bào)告 2018】蘇
    蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司李元分享了《以系統(tǒng)方法實(shí)現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性：我們的成就及新進(jìn)展》主題報(bào)告。氮化鎵射頻功率器件因其優(yōu)良的性能而在基礎(chǔ)工業(yè)領(lǐng)域（如5G通訊基站）具有廣泛的應(yīng)用前景?；A(chǔ)工業(yè)應(yīng)用要求的超長(zhǎng)連續(xù)工作壽命及可能的外部惡劣工作環(huán)境，對(duì)器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導(dǎo)體通過一個(gè)系統(tǒng)工程，從產(chǎn)品設(shè)計(jì)，工藝開發(fā)，器件生產(chǎn)，到最終篩選測(cè)試，每一個(gè)環(huán)節(jié)都按嚴(yán)格的程序進(jìn)行，確
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    limit2021-04-29 12:21
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