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碳化硅芯片會在 2025-2030 年被電動汽車廣泛采用的可能性探討The Question: Will SiC chips be widely adopted by Electric Vehicles in 2025-2030?Anant AGARWAL美國俄亥俄州立大學教授、IEEE會士Anant AGARWALProfessorofThe Ohio State University, IEEE Fellow

SiC器件和模塊的最新進展RecentAdvancesofSiCPowerDevices張清純復旦大學特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術研究中心主任Jon Zhang--Distinguished Professor of Fudan University

第三代半導體紫外探測技術與產(chǎn)業(yè)化應用Wide Bandgap Semiconductor Ultraviolet Detection Technology and Industrial Application陸 海--南京大學教授，鎵敏光電董事長LU Hai--Professor of Nanjing University, President of GaNo Optoelectronics Inc.

UVC對SARS-CoV-2等高傳染性病毒控制的原理與方法The Principle and Method of UVC for the Control of SARS-CoV-2 and Other Highly Infectious VirusesErnest R. Blatchley III--美國普渡大學Lee A. Rieth講席教授，國際紫外協(xié)會副主席、美洲分會主席Ernest R. Blatchley III--Lee A. Rieth Professor, Purdue University, Americas Regional Vice President of IUVA

用于水消毒的UV-LED：研究與應用前沿UV-LEDs for Water Disinfection: The Forefront of Research and Application小熊久美子--東京大學副教授、國際紫外協(xié)會副主席、亞洲分會主席Kumiko OgumaAssociate Professor of University of Tokyo, Asian Regional Vice President of IUVA

用于極端環(huán)境電子產(chǎn)品的 SiC 集成電路SiC Integrated Circuit for Extreme Environment ElectronicsCarl-Mikael Zetterling--瑞典皇家理工學院教授Carl-Mikael Zetterling--Professor of Royal Institute of Technology (KTH), Sweden

Ⅲ族氮化物半導體光電子器件的幾個科學問題張榮--廈門大學校長、教授

2018年10月23日下午，第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）開幕大會在深圳會展中心隆重召開。大會以創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)為主題，吸引了來自海內(nèi)外半導體照明，第三代半導體及相關領域的專家學者、企業(yè)領袖、行業(yè)機構領導以及相關政府官員的積極參與，共同論道產(chǎn)業(yè)發(fā)展。本屆論壇由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市龍

加拿大滑鐵盧大學William WONG教授分享了《通過薄膜晶體管和III-V光電器件的異質(zhì)集成實現(xiàn)Micro-LED》研究報告。他介紹到，基于氮化鎵(GaN)基微光發(fā)射二極管(microleds)的新型顯示技術有望使下一代發(fā)射顯示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，與現(xiàn)有的基于有機光發(fā)射二極管(OLEDs)的顯示技術相比。除了在OLED顯示器上的這些改進之外，Micro-LED與薄膜晶體管(TFT)設備的集成為高亮度和高分辨率柔性顯示器提供了新的途徑。

北京大學陳志忠教授在《Operation behavior under extremely high injection level for GaN-based micron LED》報告中指出，我們制作不同直徑微柱LEDs不同波長和不同的基質(zhì)。測量了電致發(fā)光(EL)譜和電流-電壓(I-V)曲線。高飽和電流密度達到300 kA / cm2 20m紫外線導致氮化鎵襯底。效率為LEDs下垂也大大提高。采用橫光軟件模擬高注入水平下的輸運和重組過程。綜合量子漂移-擴散模型考慮了多體效應。并介紹了超高注入機理。

南京大學電子科學與工程學院劉斌教授帶來了《氮化鎵微/納米LED與量子點混合結(jié)構的高品質(zhì)白光器件》研究報告。報告中提出了一種新型微納米III族氮化物/II-VI族量子點混合結(jié)構LED。采用紫外軟納米壓印和光刻技術，制備出晶圓面積的有序III族氮化物納米孔和微米孔陣列，然后將II-VI族核/殼結(jié)構量子點填充至微/納米孔中，形成量子點與量子阱側(cè)壁緊密耦合結(jié)構。該結(jié)構利用量子阱與量子點偶極子間耦合增強物理效應，發(fā)光激子的復合壽命大

香港科技大學首席劉紀美教授在《Micro-LED顯示屏：單片方法的優(yōu)點和問題》報告中指出，大面積的LED顯示器和普通照明應用中的成熟的LED技術很常見。近年來，LED在微顯示器上的應用越來越受到人們的關注。與其他現(xiàn)有的微顯示技術相比，led在效率、亮度、壽命、溫度穩(wěn)定性和魯棒性等方面具有優(yōu)勢。最重要的是在明亮的日光下的能見度。

南方科技大學副教授劉召軍在《多功能化氮化鎵基高分辨率Micro-LED顯示器》研究報告。

來自臺灣交通大學佘慶威教授，他在《可實現(xiàn)全彩微顯示的新型微結(jié)構LED》報告中表示，我們研究了一種新型微結(jié)構Nano-Ring (NR) LED，首先通過改變NRLED的環(huán)壁厚度，可以實現(xiàn)發(fā)光波長從480nm藍光到535nm綠光的變化，接著在藍光NRLED上噴涂紅色量子點材料進行色彩轉(zhuǎn)換，即可在同一材料上實現(xiàn)RGB全彩微顯示。

廈門大學電子科學系教授、福建省半導體照明工程技術研究中心副主任呂毅軍分享了《基于顯微高光譜成像技術的發(fā)光器件/陣列表面光熱特性分布測試》研究報告。他介紹說，顯微高光譜成像技術結(jié)合高光譜和顯微技術，獲得探測目標的二維幾何空間及一維光譜信息的數(shù)據(jù)立方。同時具有高空間分辨率和高光譜分辨率的優(yōu)點。是進行微小發(fā)光器件/陣列表面光譜探測的理想工具。我們基于顯微高光譜開發(fā)了發(fā)光器件/陣列表面光熱二維分布測試技術。

復旦大學副教授田朋飛分享了《智能GaN基micro-LED陣列》研究報告。GaN基micro-LED (霯ED)陣列可用于高亮度微顯示、高效率固態(tài)照明和高速可見光通信的高帶寬發(fā)光芯片。通過結(jié)合以上功能，可以實現(xiàn)用于大數(shù)據(jù)和物聯(lián)網(wǎng)的智能霯ED系統(tǒng)。至今為止，還未有將霯ED陣列用于高帶寬探測器(PD)的報道。

復旦大學副教授張樹宇在《135%NTSC色域的CsPbX3鈣鈦礦量子點薄膜》主題報告中表示，全無機CsPbX3 (X=I, Br, Cl)鈣鈦礦量子點(QDs)由于其優(yōu)異的光學性能，包括極高的光致發(fā)光量子產(chǎn)率、狹窄的譜線寬度和廣泛的可調(diào)發(fā)射，很可能成為下一代量子點顯示技術。在制造過程中避免高溫和惰性氣氛的新方法是室溫(RT)再結(jié)晶，為低成本大批量生產(chǎn)CsPbX3 QDs提供了一條很有前途的途徑。然而，RT合成的QDs在工作條件下的穩(wěn)定性性能與傳統(tǒng)QDs不具

美國電力副執(zhí)行主任兼首席技術官、美國北卡羅萊納州立大學教授Victor Veliadis帶來《10 kV 4H-SiC晶體管基面位錯和耐久性的影響》；

瑞典皇家工學院工程科學院教授Mietek BAKOWSKI以瑞典視角分享了《WBG電力設備的現(xiàn)狀和采用前景》，報告中介紹了由瑞典創(chuàng)新局（Vinnova）和瑞典能源管理局以及碳化硅電力中心資助的選定工業(yè)和研究項目的概況和重點。示例展示了基于WBG的電力電子能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)在各種應用中的節(jié)能方面的革命性進展。簡要介紹了瑞典材料、技術和設備研發(fā)領域的相關項目。

高溫、高功率寬帶隙半導體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長過程。今天，SiC是通過氣相或液相法生長的，它包括下列過程：反應物的生成、反應物到生長表面的傳輸、生長表面的吸附、成核和最終晶體生長。GT Advanced Technologies首席技術官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術的最新進展》技術報告，報告中介紹了不同的SiC晶體生長過程以及SiC技術的最新進展。