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用于病毒滅活的藍(lán)寶石生長230nm遠(yuǎn)紫外光功率模組的開發(fā)研究Development of 230 nm Far-UVC LED Power Module Grown on c-Sapphire for Human Harmless Virus Inactivation平山秀樹日本理化研究所平山量子光素子研究室主任Hideki HIRAYAMAProfessor ofRIkagaku KENkyusho Institute of Physical and Chemical Research(RIKEN),Japan

氮化鋁基半導(dǎo)體材料及器件的最新進(jìn)展Recent Progress on AlN-based Semiconductor Materials and Devices谷保芳孝日本NTT基礎(chǔ)研究實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人、資深杰出研究員Taniyasu YOSHITAKAGroup leader and Senior Distinguished Researcher of NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation

太陽能衛(wèi)星及相關(guān)波束無線電力傳輸技術(shù)的最新研發(fā)進(jìn)展Recent RD of Solar Power Satellite and Related Beam Wireless Power Transfer TechnologyNaoki SHINOHARA日本京都大學(xué)教授NaokiSHINOHARAProfessor of Kyoto University,Japan

Status and Prospects of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasersTetsuya TAKEUCHI日本名城大學(xué)教授Tetsuya TAKEUCHIProfessor of Meijo University,Japan

Fabrication of 265 nm AlGaN-LEDs on Face-to-face annealed AlN/sapphire template三宅秀人日本三重大學(xué)教授Hideto MIYAKEProfessor of Graduate School of Engineering, Mie University

日本名城大學(xué)副教授Motoaki IWAYA 帶來了關(guān)于基于AlGaN 激光的發(fā)展現(xiàn)狀的報告。

日本國立佐賀大學(xué)同步輻射光應(yīng)用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新帶來了題為超寬禁帶氧化半導(dǎo)體的生長和特性的主題報告。郭其新主要從事半導(dǎo)體材料制備與表征，同步輻射光應(yīng)用研究。報告中主要介紹了Ga2O3等寬禁帶氧化半導(dǎo)體薄膜的生長和特性。通過對于In和Al元素的調(diào)整我們可以調(diào)整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能帶寬度。研究制備了Ga2O3:Er/Si LED，其驅(qū)動電壓稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同時，還研究了Eu摻雜的Ga2O3薄膜的

同步輻射X射線衍射法實(shí)現(xiàn)氮化鎵襯底及同質(zhì)外延薄膜晶格面傾斜可視化 Synchrotron x-ray diffraction-based visualization of lattice-plane tilting of a GaN substrate and epitaxial film坂田修身日本國立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長，東京工業(yè)大學(xué)兼職教授 Osami SAKATAStation Director of the Synchrotron X-ray Station at SPring-8 and the Group Leaders of the Synchrotron X-ray group and the Synchrotron X-ray

日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平分享了《常關(guān)型AlGaN/GaN HFET功率器件的發(fā)展》技術(shù)報告。敖金平博士1989年畢

極智報告|日本理化所量子光電設(shè)備實(shí)驗(yàn)室主任兼首席科學(xué)家Hideki HIRAYAMA：高效率AlGaN深紫外LED的研究進(jìn)展 更多精彩報告，敬請點(diǎn)擊頁面頂端下載極智頭條APP。

極智報告|日本大阪大學(xué)高悅：銅顆粒燒結(jié)貼片連接SiC-MOSFET的長期可靠性研究進(jìn)展 更多精彩報告，敬請點(diǎn)擊頁面頂端下載極智頭條APP。

日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶體塊體和外延生長的報告，分享了其最新研究成果。

該視頻為：日本大阪大學(xué)助理教授CHEN Chuantong主講的《SiC功率芯片貼片模組低應(yīng)力連接技術(shù)》報告。為SiC芯片的鍵合，研究了一種燒結(jié)微孔和鎢(W)薄膜的夾層結(jié)構(gòu)。芯片粘連層被設(shè)計為微孔Ag/鎢/微孔Ag以便增加粘連層厚度，從而實(shí)現(xiàn)低應(yīng)力的SiC功率模塊。Ag膏的厚度為0.1mm，而鎢的厚度分別為0.1mm和0.5mm。粘連層剪切強(qiáng)度高達(dá)60Mpa，1000次熱循環(huán)（-50-250 ℃）后仍然大于30MPa。此燒結(jié)技術(shù)最有希望應(yīng)用于高溫工作的低應(yīng)力的SiC功率模塊。 第三代半導(dǎo)體材料主要包

日本千葉大學(xué)榮譽(yù)教授矢口博久，主題為“色彩保真度指數(shù)”。他表示，今年4月全新的CIE2017色彩保真度指數(shù)是更精確的科學(xué)使用版本，在CIE224中發(fā)布。既然色彩保真度指數(shù)目前還不能替代現(xiàn)有的Ra，但是CIE2017的色彩保真度指數(shù)也是可以說是CIE進(jìn)展過程......

日本大阪大學(xué)教授菅沼克昭分享了寬禁帶功率器件銀燒結(jié)連接的可靠性及其新進(jìn)展。