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碳化硅單晶缺陷研究及產(chǎn)業(yè)化進展Research and Industrialization Progress of SiC Single Crystal Defects陳秀芳山東大學(xué)教授、南砂晶圓董事CHEN XiufangProfessor of Shandong University, Board Director of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd

硅晶圓廠中的SiC制造SiC Fabrication in a Silicon FabVictor VELIADIS美國電力執(zhí)行董事 CTO、ICSCRM2024大會主席、北卡羅來納州立大學(xué)教授、IEEE寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)路線圖委員會(ITRW)主席Victor VELIADISExecutive Director and CTO of PowerAmerica, Chair of ICSCRM 2024, Professor of North Carolina State University and Chair of ITRW

《半導(dǎo)體碳化硅晶圓生長和單晶加工》作者：皮孝東單位：浙江大學(xué)硅材料國家重點實驗室

英諾賽科（珠海）科技有限公司副總經(jīng)理金源俊介紹“200mm CMOS晶圓廠無分散增強型650V GaN-on-Si HEMTs 器件工藝”報告。 由于缺乏低成本GaN體襯底，GaN被外延生長在各種基底上，最常見的是藍寶石，碳化硅（SiC）和硅。雖然晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的失配使外延GaN很困難，特別是對于較大的Si襯底尺寸，但是對GaN生長Si襯底變得有吸引力，這是因為Si的晶圓直徑大（200mm及更高）。為了替代商業(yè)的Si功率器件，GaN器件應(yīng)當設(shè)計為增強型（e-mode），并通過低成本，