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AlGaN基深紫外發(fā)光器件設(shè)計與仿真研究Design and simulation of AlGaN-based Deep Ultraviolet Emitters劉玉懷鄭州大學電氣與信息工程學院教授、科技部電子材料與系統(tǒng)國家級國際聯(lián)合研究中心主任、河南省電子材料與系統(tǒng)國際聯(lián)合實驗室主任LIU YuhuaiProfessor and Director of National Center for International Joint Research of Electronic Materials and Systems, International Joint-Laboratory of Electronic Materials an

Adding efficiency to electronics with III-Nitride technologySrabanti CHOWDHURY美國斯坦福大學電氣工程副教授Srabanti CHOWDHURYAssociate Professor of Electrical Engineering and Senior Fellow at the Precourt Institute for Energy, USA

《面向復(fù)雜電氣應(yīng)用環(huán)境的高可靠性GaN功率電子器件研究》作者：陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學電子科學與工程學院

日本國立佐賀大學同步輻射光應(yīng)用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新帶來了題為超寬禁帶氧化半導(dǎo)體的生長和特性的主題報告。郭其新主要從事半導(dǎo)體材料制備與表征，同步輻射光應(yīng)用研究。報告中主要介紹了Ga2O3等寬禁帶氧化半導(dǎo)體薄膜的生長和特性。通過對于In和Al元素的調(diào)整我們可以調(diào)整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能帶寬度。研究制備了Ga2O3:Er/Si LED，其驅(qū)動電壓稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同時，還研究了Eu摻雜的Ga2O3薄膜的

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極智報告|浙江大學電氣工程學院院長盛況分享《第三代半導(dǎo)體支撐交通強國建設(shè)》主題報告。請您點擊頁面頂端下載極智頭條APP，更多精彩學術(shù)報告免費看！