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《硅基氮化鎵外延材料射頻損耗產(chǎn)生機(jī)理及其抑制方法》作者：馬騁，楊學(xué)林，劉丹爍，蔡子?xùn)|，陳正昊，沈波單位：北京大學(xué)物理學(xué)院人工微結(jié)構(gòu)與介觀物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

【極智報(bào)告】臺(tái)灣長(zhǎng)庚大學(xué)邱顯欽教授：適用于第五代移動(dòng)通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案

報(bào)告嘉賓：蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司市場(chǎng)總監(jiān)朱丹丹博士 報(bào)告主題：《針對(duì)大功率應(yīng)用的硅基氮化鎵技術(shù)》

英諾賽科科技有限公司董事長(zhǎng)駱薇薇分享了硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。駱薇薇在美國宇航局（NASA）工作了15年，并創(chuàng)辦了兩

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英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術(shù)：從器件、封裝、到系統(tǒng)》研究報(bào)告