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第三代半導(dǎo)體碳化硅器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)及發(fā)展進(jìn)展The key technology and development progress of the Wide Band-gap semiconductor silicon carbide device industrialization鈕應(yīng)喜蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司研發(fā)總監(jiān)NIU YingxiRD Director of Wuhu Advanced Semiconductor Manufacturing Co.,ltd

美國(guó)NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官I(mǎi)smail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先進(jìn)化學(xué)濃度控制技術(shù)的研究成果。在傳統(tǒng)的MEMS制備中，相對(duì)惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蝕停止或者制備襯底中的掩膜。然而這種材料需要了解刻蝕對(duì)于襯底的選擇性。對(duì)于過(guò)去的20年，研究發(fā)現(xiàn)碳化硅（SiC）因?yàn)槠浠瘜W(xué)性質(zhì)比較惰性已經(jīng)可以作為傳統(tǒng)批量微加工刻蝕停止的替代物。包括燃料霧化器，壓力傳感器和微型模具等MEMS應(yīng)用中可以使用典型