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軌道交通SiC功率器件研究與應(yīng)用進展劉國友株洲中車時代電氣股份有限公司中車科學家、功率半導體與集成技術(shù)全國重點實驗室副主任

超寬禁帶半導體氧化鎵和氮化鋁特性研究Research on the Characteristics of Ultra-wide Bandgap Semiconductor GaO and AlN張道華深圳平湖實驗室第四代半導體首席科學家、新加坡工程院院士ZHANG DaohuaChief Scientist of Fourth-generation Semiconductors of Shenzhen Pinghu Laboratory, Academician the Academy of Engineering, Singapore

高品質(zhì)磷化銦襯底對激光器性能影響研究Effect of High Quality InP Substrate on Laser Performance惠峰云南鍺業(yè)公司首席科學家、云南鑫耀半導體材料有限公司總經(jīng)理HUI FengChief Scientist of Yunan Germanium Co.,ltd

金剛石微波功率器件進展Progress in Diamond Microwave Power Devices馮志紅中國電科首席科學家、中國電科13所研究員、專用集成電路國家級重點實驗室常務(wù)副主任FENG ZhihongHebei Semiconductor Research lnstitute

新型MO源及在第三代半導體中的應(yīng)用Novel MO Sources and Their Applications in Wide Bandgap Semiconductors楊敏江蘇南大光電材料股份有限公司首席科學家

未來顯示技術(shù)的發(fā)展方向Display Technology Development and Technical Challenges袁廣才--京東方科技集團顯示與傳感器件研究院院長、半導體技術(shù)首席科學家YUAN Guangcai--President and Chief scientist of DisplaySensor Research Institute of BOE

極智報告|日本理化所量子光電設(shè)備實驗室主任兼首席科學家Hideki HIRAYAMA：高效率AlGaN深紫外LED的研究進展 更多精彩報告，敬請點擊頁面頂端下載極智頭條APP。

耶魯大學研究科學家宋杰分享了“納米孔GaN作為高反射和熔覆層的III族氮化物激光器”報告。他表示，我們制備了由納米孔狀的GaN和無孔GaN薄膜的周期結(jié)構(gòu)組成的布拉格反射層，通過4～5對的DBR層就獲得了高達99.9%的放射率，并且顯著地提高了激光二極管結(jié)構(gòu)中的光學限制因子，使得閾值材料gain降低至400cm-1，比之前報道的低了二倍，表明我們可以顯著地降低激光器的開啟閾值電流以及提高光電轉(zhuǎn)化效率。同時，我們也采用納米孔狀的GaN和無孔GaN組成的布拉格反射層引用到VCSEL結(jié)構(gòu)中，實現(xiàn)了光激射的VCSE

美國Wolfspeed 電力設(shè)備研究科學家Jon ZHANG教授帶來“碳化硅功率器件的現(xiàn)狀與展望”主題報告。Jon ZHANG教授表示，功率半導體器件是電力電子系統(tǒng)的重要組成部分，其決定了能量調(diào)節(jié)系統(tǒng)的效率、尺寸和成本。功率器件的進步革新了電力電子系統(tǒng)。針對不同的應(yīng)用，如今的商業(yè)市場提供了廣泛的電子器件。在所有類型的電力器件中，IGBTs和FRDs是目前是分立器件和功率模塊中最常用的組件。盡管有這些優(yōu)勢，Si 功率器件正在接近他們的性能極限。