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Mini/Micro-LED微顯示技術(shù)分析與應(yīng)用劉海坤博士TCL科技集團(tuán)工業(yè)研究院

SiC功率MOSFET技術(shù)及應(yīng)用進(jìn)展柏松中國電子科技集團(tuán)首席專家、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任BAI SongChief Scientist of China Electronics Technology Group Corporation, Director of National Key Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Power Electronic Devices

中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所研究員馮志紅介紹了關(guān)于解決InAlN/GaN異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管（HFETs）應(yīng)用的漏電大和可靠性差的瓶頸問題方法的研究成果。馮志紅研究員現(xiàn)任中國電子科技集團(tuán)公司首席專家，國際電工技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)專家，研究方向?yàn)樘掌澒虘B(tài)電子器件、先進(jìn)半導(dǎo)體材料與器件。 其中，馮志紅表示，氮化鎵與氮化鋁是非常好的搭配，會(huì)帶來比較高的功率，相比其他一些結(jié)構(gòu)更加優(yōu)化，也有很多應(yīng)用。人們希望可以將氮化鎵應(yīng)用到5G等領(lǐng)域，希望增加輸出功率。結(jié)合具體的建模分析，馮志紅表示，降低延遲，為了獲得信號(hào)而降低