【視頻報(bào)告 2018】西西安電子科技大學(xué)趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)的常關(guān)型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管(fT/fmax=61GHz/130GHz)》主題報(bào)告。他介紹說(shuō),在SiC襯底上實(shí)現(xiàn)了高性能的柵長(zhǎng)為0.1um的常關(guān)型薄勢(shì)壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件,采用氟離子注入技術(shù)并結(jié)合氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高性能的常關(guān)型器件,其閾值電壓達(dá)到0.6V,飽和電流達(dá)到845mA/mm@Vgs=3V ,峰值跨導(dǎo)達(dá)到412mS/mm,電流截止頻率達(dá)到61GHz,最大
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