【視頻報告 2018】西西安電子科技大學(xué)趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴展技術(shù)的常關(guān)型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管(fT/fmax=61GHz/130GHz)》主題報告。他介紹說,在SiC襯底上實現(xiàn)了高性能的柵長為0.1um的常關(guān)型薄勢壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件,采用氟離子注入技術(shù)并結(jié)合氮化鈦源極擴展技術(shù)實現(xiàn)了高性能的常關(guān)型器件,其閾值電壓達到0.6V,飽和電流達到845mA/mm@Vgs=3V ,峰值跨導(dǎo)達到412mS/mm,電流截止頻率達到61GHz,最大
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