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p-GaN Gate HEMT器件閾值穩(wěn)定性及其機理Study of the Physics of Vth Instability of p-GaN Gate HEMT陳匡黎電子科技大學博士ZHOU QiProfessor of University of Electronic Science and Technology of China

鈣鈦礦LED晶體結構穩(wěn)定性的研究Research on Crystal Structure Stability of Perovskite Light Emitting Diodes謝躍民蘇州大學功能納米與軟物質研究院副教授XIE YueminProfessor of Soochow University

鈣鈦礦中離子遷移的實時觀測及其對LED及電池器件穩(wěn)定性的影響研究Real-time Observation of Ion Migration in Perovskite LED and Its Influence on Device Stability李澄廈門大學微電子與集成電路系副主任 副教授LI ChengAssociate Professor, Department of Microelectronics and Integrated Circuits, Xiamen University

《常關型 GaN PNJ-HEMT 柵極漏電機理及閾值電壓穩(wěn)定性》作者：化夢媛，李玲玲，王成財，姜作衡單位：南方科技大學

周達成授表示，在過去十年中，基于兩個寬禁帶（WBG）半導體（GaN和SiC）的功率開關器件正在影響功率電子系統(tǒng)，這是由于其良好的工業(yè)效用和改善的性能，且比傳統(tǒng)的硅基器件的功率損耗低和能量效率高。他表示，通過模擬和實驗應力（如電流崩塌和高溫反偏），評估了現(xiàn)有......請在WIFI條件下反復觀看！