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基于P區(qū)反序摻雜策略的高效碳化硅結(jié)勢壘肖特基二極管的研究High-Performance 1200 V/ 20 A 4H-SiC JBS Diodes with Retrograde P-Implants Strategy張園覽復(fù)旦大學(xué)Yuan-Lan ZHANGFudan University

日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平在《用于微波無線電能傳輸?shù)牡壣漕l肖特基二極管》報(bào)告中介紹到：無線電能傳輸技術(shù)是非常有前景的新技術(shù)，可以用在各種各樣的無線系統(tǒng)，比如無線充電、能量收割、無處不在的電源和建筑物內(nèi)的電源供應(yīng)等。在微波無線電能傳輸系統(tǒng)里，通常采用天線整流電路（rectenna）來完成RF到DC的能量轉(zhuǎn)換。天線整流電路廣泛地用到肖特基勢壘二極管（SBD）。但是，目前市場上很難找到能在天

中國科學(xué)院微電子研究所研究員龍世兵分享了基于(100) -Ga2O3 單晶的肖特基二極管和MOS電容的研究成果。基于型氧化鎵所生產(chǎn)的一些器件在能源使用中發(fā)揮著重要的作用。能源使用的安全性是一個(gè)重要問題，在自然能源不斷減少，價(jià)格不斷上升的背景下，我們需要找到一個(gè)更加有效的方式來利用能源。當(dāng)前在高電壓應(yīng)用領(lǐng)域，包括高鐵和智能電網(wǎng)等，硅仍然是主導(dǎo)材料，但有一定局限性，比如禁帶比較窄等。與寬禁帶材料相比，有弱勢的地方。