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硅襯底GaN基光電材料外延生長Epitaxial Growth of GaN Based Photoelectric Materials on Silicon Substrate孫錢中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員SUN QianProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences

氨熱法氮化鎵單晶生長研究進展及面臨的挑戰(zhàn)Progress and Challenges in Bulk GaN Crystal Growth by Ammonothermal Method任國強中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、研究員REN GuoqiangProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences

功率HEMT的p-GaN柵極可靠性及其加固方法GaN Gate Reliability and Its Reinforcement Techniques in Power HEMTs鐘耀宗中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所助理研究員ZHONG YaozongAssistant Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences

氮化鎵基激光器和超輻射管研究進展Progress of GaN based laser diodes and superluminescene diodes劉建平中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米器件研究部 研究員LIU JianpingProfessor of Nanodevice Research Department of Suzhou Institute of Nanotechnology and Nanobionics, Chinese Academy of Sciences

室溫紫外GaN微盤激光器Room-Temperature Ultraviolet GaN Microdisk Lasers司志偉中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所SI ZhiweiSuzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS

硅基GaN電子器件研究進展孫錢中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所

1200V級硅襯底GaN縱向PiN功率二極管郭小路，鐘耀宗，周宇，陳昕，閆書萌，劉建勛，孫秀建，孫錢*，楊輝中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所

報告嘉賓：中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 研究員 黃勇 主題報告：《銻化物半導體材料及器件》

中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員劉建平在做“鎵氮基藍光與綠光激光二極管的發(fā)展”報告時表示，對GaN基藍色和綠色的激光二極管（LD）的研究已經(jīng)引起人們的廣泛關(guān)注，在過去的幾年里，為了滿足激光顯示應用的需求。我們提高了發(fā)光均勻性和減少基藍光LD結(jié)構(gòu)面自支撐GaN襯底上生長GaN的內(nèi)部損失。同質(zhì)外延GaN層的形貌是由邊角料取向和GaN襯底角度很大的影響。并且通過工程InGaN/GaN量子阱的界面，我們已經(jīng)實現(xiàn)了綠色激光器結(jié)構(gòu)1.85 kA cm-2低閾值電流密度。在室溫連續(xù)波作用下，綠光LD的輸出功率為