極智報(bào)告|英諾賽科副英諾賽科（珠海）科技有限公司副總經(jīng)理金源俊介紹“200mm CMOS晶圓廠無(wú)分散增強(qiáng)型650V GaN-on-Si HEMTs 器件工藝”報(bào)告。
由于缺乏低成本GaN體襯底，GaN被外延生長(zhǎng)在各種基底上，最常見(jiàn)的是藍(lán)寶石，碳化硅（SiC）和硅。雖然晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的失配使外延GaN很困難，特別是對(duì)于較大的Si襯底尺寸，但是對(duì)GaN生長(zhǎng)Si襯底變得有吸引力，這是因?yàn)镾i的晶圓直徑大（200mm及更高）。為了替代商業(yè)的Si功率器件，GaN器件應(yīng)當(dāng)設(shè)計(jì)為增強(qiáng)型（e-mode），并通過(guò)低成本，
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