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《18 kV SiC IGBT 的研制》邱宇峰 廈門大學(xué)講座教授 國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院

《萬伏級4H-SiC基IGBT器件設(shè)計與制備技術(shù)》作者：劉延聰，唐冠南，湯曉燕，袁昊，宋慶文，張玉明單位：西安電子科技大學(xué)，中國人民解放軍空軍工程大學(xué)

今天極智課堂邀請到中國電子科技集團(tuán)第五十五研究所李士顏博士，分享《從特斯拉用碳化硅代替IGBT說起——碳化硅功率器件之新能源汽車應(yīng)用及展望》主題報告