亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

Nanoscale Characterization of Surface Plasmon-Coupled Photoluminescence Enhancement in Pseudo Micro Blue LEDs Using Near

《量子點(diǎn)/氮化物半導(dǎo)體集成結(jié)構(gòu)的Micro-LED器件制備與應(yīng)用》作者：劉斌，許非凡，余俊馳，陶濤，陸海，陳敦軍，張榮單位：南京大

加拿大滑鐵盧大學(xué)William WONG教授分享了《通過薄膜晶體管和III-V光電器件的異質(zhì)集成實(shí)現(xiàn)Micro-LED》研究報(bào)告。他介紹到，基于氮化鎵(GaN)基微光發(fā)射二極管(microleds)的新型顯示技術(shù)有望使下一代發(fā)射顯示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，與現(xiàn)有的基于有機(jī)光發(fā)射二極管(OLEDs)的顯示技術(shù)相比。除了在OLED顯示器上的這些改進(jìn)之外，Micro-LED與薄膜晶體管(TFT)設(shè)備的集成為高亮度和高分辨率柔性顯示器提供了新的途徑。

德國愛思強(qiáng)產(chǎn)品管理總監(jiān)Jens VOIGT介紹了《用于RGB Micro-LED大批量制造的MOCVD解決方案》主題報(bào)告。他介紹說，愛思強(qiáng)的行星式反應(yīng)器平臺(tái)是生產(chǎn)具有最高一致性、重復(fù)性和缺陷控制標(biāo)準(zhǔn)的化合物半導(dǎo)體器件的已建立的平臺(tái)，例如用VCSEL激光器證明的3D傳感器技術(shù)，這是當(dāng)前高容量需求的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素之一。同樣的要求組合也適用于Micro-LED技術(shù)：在低的缺陷水平下，結(jié)合外延層的高通量結(jié)構(gòu)具有非常高的精度。行星式反應(yīng)器平臺(tái)技術(shù)已經(jīng)被

北京大學(xué)陳志忠教授在《Operation behavior under extremely high injection level for GaN-based micron LED》報(bào)告中指出，我們制作不同直徑微柱LEDs不同波長和不同的基質(zhì)。測量了電致發(fā)光(EL)譜和電流-電壓(I-V)曲線。高飽和電流密度達(dá)到300 kA / cm2 20m紫外線導(dǎo)致氮化鎵襯底。效率為LEDs下垂也大大提高。采用橫光軟件模擬高注入水平下的輸運(yùn)和重組過程。綜合量子漂移-擴(kuò)散模型考慮了多體效應(yīng)。并介紹了超高注入機(jī)理。

香港科技大學(xué)首席劉紀(jì)美教授在《Micro-LED顯示屏：單片方法的優(yōu)點(diǎn)和問題》報(bào)告中指出，大面積的LED顯示器和普通照明應(yīng)用中的成熟的LED技術(shù)很常見。近年來，LED在微顯示器上的應(yīng)用越來越受到人們的關(guān)注。與其他現(xiàn)有的微顯示技術(shù)相比，led在效率、亮度、壽命、溫度穩(wěn)定性和魯棒性等方面具有優(yōu)勢。最重要的是在明亮的日光下的能見度。

南方科技大學(xué)副教授劉召軍在《多功能化氮化鎵基高分辨率Micro-LED顯示器》研究報(bào)告。

廣東德豪潤達(dá)電氣股份有限公司LED芯片事業(yè)部產(chǎn)品經(jīng)理桑永昌介紹了《Micro 和 Mini LED 焊接技術(shù)》主題報(bào)告。

復(fù)旦大學(xué)副教授田朋飛分享了《智能GaN基micro-LED陣列》研究報(bào)告。GaN基micro-LED (霯ED)陣列可用于高亮度微顯示、高效率固態(tài)照明和高速可見光通信的高帶寬發(fā)光芯片。通過結(jié)合以上功能，可以實(shí)現(xiàn)用于大數(shù)據(jù)和物聯(lián)網(wǎng)的智能霯ED系統(tǒng)。至今為止，還未有將霯ED陣列用于高帶寬探測器(PD)的報(bào)道。

美國維易科精密儀器有限公司市場營銷總監(jiān)Mark MCKEE分享了《Micro-LED顯示屏：關(guān)鍵制造挑戰(zhàn)和MOCVD技術(shù)》報(bào)告。他介紹到，微型LED顯示屏比其他顯示技術(shù)，如背光LED顯示屏、OLED顯示屏和等離子顯示屏，具有更高的亮度、更高的功率效率，而且更加堅(jiān)固柔韌。然而，微型LED顯示屏的缺點(diǎn)之一是制作復(fù)雜，這導(dǎo)致了較高的顯示成本。在嚴(yán)格堅(jiān)持目標(biāo)成本的同時(shí)，微型LED顯示屏優(yōu)秀性能和良率為其制造帶來了許多挑戰(zhàn)。報(bào)告中提出，從外延和LE

【極智報(bào)告】西安交通大學(xué)張盛楠：Preparation of carbon dots by microwave synthesis for white LED devices

報(bào)告嘉賓：錼創(chuàng)科技股份有限公司研發(fā)中心總監(jiān)賴彥霖 博士 報(bào)告主題：《新世代面板技術(shù) - MicroLED顯示屏》

瑞士Microdiamant研發(fā)部門負(fù)責(zé)人Christian JENTGENS帶來了題為多晶金剛石微納米粉在SiC晶片加工中的應(yīng)用及其關(guān)鍵工藝技術(shù)的主題報(bào)告，報(bào)告表示，碳化硅業(yè)務(wù)的主要目標(biāo)是提高效率，并介紹了SiC晶圓加工的個(gè)性化解決方案，從廠商角度分享了碳化硅晶圓最重要的特征，如何判斷產(chǎn)品品質(zhì)優(yōu)劣以及關(guān)鍵的流程步驟等內(nèi)容。

瑞典隆德大學(xué)教授、瑞典皇家科學(xué)院院士、Glo AB創(chuàng)始人Lars SAMUELSON帶來了題為針對MicroLED和自形成光子結(jié)構(gòu)的納米線應(yīng)用的精彩

TCL工業(yè)研究院新型顯示技術(shù)部林智遠(yuǎn)分享了報(bào)告《Micro/Mini-LED：從背光到直視顯示》。Mini-LED背光技術(shù)方案基本成熟，當(dāng)前需要解決的問題包括技術(shù)上超多分區(qū)的實(shí)現(xiàn)、驅(qū)動(dòng)、控制方案的優(yōu)化，上下游產(chǎn)業(yè)鏈的配合、產(chǎn)品應(yīng)用的定位、成本控制。如75英寸電視Mini-LED背光有20K個(gè)器件，在生產(chǎn)過程中，器件轉(zhuǎn)移效率有待進(jìn)一步提升，產(chǎn)業(yè)鏈的培育和降低成本是Mini-LED背光產(chǎn)品化的關(guān)鍵。

對話內(nèi)容：Micro LED在今年吸引了大家的眼球，由于其優(yōu)良的光電學(xué)特性，Micro LED很有希挑戰(zhàn)現(xiàn)有的LCD及OLED技術(shù)，掀起一場顯示器技術(shù)的革命。在2018年10月24日召開的ChinaSSL會(huì)議上，聯(lián)盟有幸采訪到來自德國愛思強(qiáng)的產(chǎn)品線總監(jiān)Jens Voigt博士。Voigt博士自2001年加入AIXTRON并擔(dān)任外延工藝科學(xué)家一職，主要負(fù)責(zé)氮化鎵MOCVD外延生長以滿足LED生產(chǎn)需求。他現(xiàn)任德國愛思強(qiáng)產(chǎn)品線總監(jiān)，負(fù)責(zé)MOCVD外延機(jī)臺(tái)的銷售，服務(wù)以及市場拓展工作。此次Voigt博士針對Mic

劉召軍于2011年香港科技大學(xué)博士畢業(yè)，主要從事先進(jìn)顯示技術(shù)（Micro-LEDs、微顯示、AR/VR等）、第三代半導(dǎo)體電子器件與光電器件集成（氮化鎵HEMT、LED集成）等方面的研究。世界上最早從事氮化鎵Micro-LED技術(shù)的研究者之一，多項(xiàng)研究成果均為世界領(lǐng)先水平。研究成果獲2011年香港科技大學(xué)“百萬港元”創(chuàng)業(yè)大賽亞軍?，F(xiàn)為多家國際高水平學(xué)術(shù)期刊審稿人、IEEE Member、國際信息顯示學(xué)會(huì)永久會(huì)員、國際顯示學(xué)會(huì)北京分會(huì)技術(shù)委員、廣東省公共資源交易評(píng)審專家，深圳科技創(chuàng)新委科技專家。劉博士作為項(xiàng)目

南方科技大學(xué)副教授劉召軍在分享“可編程有源矩陣Micro-LED顯示器的設(shè)計(jì)與制作”報(bào)告中表示，Micro-LED還可以被用于微型投影儀，不僅所需光路簡單還可以大大提高整個(gè)系統(tǒng)的光利用率。Micro-LED在可穿戴器件應(yīng)用中也炙手可熱，適用于低功耗高亮度大視角的頭戴式眼鏡等應(yīng)用場景。此外，基于氮化鎵材料的Micro-LED在多種極端環(huán)境下依然能保持高度穩(wěn)定性和可靠性，這使得其在特種應(yīng)用方面前景更加廣闊。劉教授重點(diǎn)對介紹了 Micro-LED的電學(xué)特性和最優(yōu)化設(shè)計(jì)； 電流控制電流源設(shè)計(jì)架構(gòu)的有源選址Micr