本周復(fù)盤：價(jià)格指數(shù)走勢(shì)承壓，現(xiàn)貨市場(chǎng)持續(xù)震蕩靜待需求回暖

　　指數(shù)方面：據(jù)閃存市場(chǎng)，2024年第30周DRAM/NAND指數(shù)走勢(shì)承壓，單周分別-1.07%/-0.81%。價(jià)格方面：Flash wafer價(jià)格持平不變，DDR價(jià)格小幅下跌（環(huán)比-0.6%）；渠道市場(chǎng)方面，低端資源價(jià)格下跌疊加終端需求承壓，渠道SSD和內(nèi)存條價(jià)格均繼續(xù)下探；行業(yè)市場(chǎng)方面，存儲(chǔ)行業(yè)SSD和內(nèi)存條價(jià)格持平，工控客戶釋出部分SSD小單需求，行業(yè)廠商接單較為積極；嵌入式方面，市場(chǎng)行情普遍趨于平穩(wěn)，終端仍然持續(xù)關(guān)注原廠官價(jià)的落地情況。整體來看，目前存儲(chǔ)現(xiàn)貨行情處于小幅震蕩調(diào)整的磨底階段，行情磨底時(shí)長(zhǎng)視實(shí)際需求而定。

　　DRAM：2024-2025年行業(yè)營(yíng)收有望高增，DDR5/LPDDR5滲透率持續(xù)提升

　　據(jù)TrendForce預(yù)測(cè)，2024和2025年DRAM產(chǎn)品均價(jià)有望分別增長(zhǎng)53%和35%，推升2024/2025年DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收分別年增75%/51%至907/1,365億美元，產(chǎn)業(yè)營(yíng)收高速增長(zhǎng)主要系（1）HBM高速發(fā)展、（2）DRAM產(chǎn)品時(shí)代演進(jìn)、（3）原廠資本支出收縮以及（4）服務(wù)器需求復(fù)蘇。此外，DDR5和LPDDR5/5X等高附加價(jià)值產(chǎn)品的滲透同樣有助提高產(chǎn)品均價(jià)，TrendForce預(yù)計(jì)，DDR5將分別貢獻(xiàn)2024、2025年Server DRAM位元出貨量40%、60-65%，LPDDR5/5X有望貢獻(xiàn)2024、2025年Mobile DRAM位元出貨量50%和60%。

　　NAND：2024-2025年行業(yè)營(yíng)收有望高增，QLC技術(shù)加速崛起

　　據(jù)TrendForce預(yù)測(cè)，2024年NAND Flash營(yíng)收有望達(dá)674億美元，年增77%；2025年，在（1）大容量QLC Enterprise SSD崛起、（2）智能手機(jī)采用QLCUFS、（3）原廠資本支出收縮和（4）服務(wù)器需求復(fù)蘇等因素帶動(dòng)下，NANDFlash營(yíng)收將達(dá)870億美元、年增29%。北美CSPs（云端服務(wù)業(yè)者）已開始在Inference AI Server大量采用QLC Enterprise SSD，尤其是大容量規(guī)格。TrendForce預(yù)估，QLC將貢獻(xiàn)2024年NAND Flash位元出貨量20%，此比重2025年將再提升。智能手機(jī)方面，QLC預(yù)計(jì)逐步滲透UFS市場(chǎng)，部分中國(guó)智能手機(jī)業(yè)者預(yù)計(jì)于2024Q4起采用QLC UFS方案，Apple則預(yù)計(jì)2026年開始導(dǎo)入至iPhone。隨著周期穩(wěn)步復(fù)蘇，2024-2025年存儲(chǔ)板塊營(yíng)收規(guī)模逐漸擴(kuò)大，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片/模組/接口芯片等環(huán)節(jié)公司有望充分受益，受益標(biāo)的：

　?。?）芯片：兆易創(chuàng)新、普冉股份、東芯股份、恒爍股份、北京君正等；

　　（2）接口：瀾起科技、聚辰股份等；

　?。?）模組：江波龍、佰維存儲(chǔ)、德明利、香農(nóng)芯創(chuàng)、協(xié)創(chuàng)數(shù)據(jù)、朗科科技等；

　　風(fēng)險(xiǎn)提示：需求復(fù)蘇不及預(yù)期，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇，公司新品研發(fā)進(jìn)度不及預(yù)期。