BASiC™基半股份一級(jí)代理商傾佳電子楊茜全力推進(jìn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊，實(shí)現(xiàn)電力電子產(chǎn)業(yè)升級(jí)和自主可控！
 
為什么在儲(chǔ)能變流器PCS應(yīng)用中碳化硅SiC碳化硅模塊全面革掉IGBT模塊的命！
 
IGBT模塊在十幾 kHz開關(guān)頻率中就會(huì)表現(xiàn)出嚴(yán)重的局限性，由于IGBT模塊尾電流導(dǎo)致?lián)p耗較大。使用 SiC-MOSFET模塊，開關(guān)頻率增加，從而減小了濾波器體積。SiC 模塊允許在數(shù)十和數(shù)百 kHz 的頻率下運(yùn)行，開關(guān)損耗相對(duì)較低，從而顯著減少了濾波器和散熱熱系統(tǒng)的體積。這些技術(shù)進(jìn)步使變流器總體積大幅度減少，效率提高，從而能夠在較低溫度下運(yùn)行并可能延長(zhǎng)組件的使用壽命。
為了滿足PCS儲(chǔ)能變流器更高效的需求，使用基本公司碳化硅SiC碳化硅模塊全面取代IGBT模塊，可以提升系統(tǒng)效率1%，有效提升客戶在PCS生命周期里的收益。SiC碳化硅模塊全面取代IGBT模塊，從而將PCS儲(chǔ)能變流器開關(guān)損耗降低高達(dá) 70% 至 80%，在儲(chǔ)能變流器PCS應(yīng)用中碳化硅SiC碳化硅模塊全面革掉IGBT模塊的命。
 
 
為了保持電力電子系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，同時(shí)也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟(jì)效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)所在。隨著IGBT技... [詳細(xì)介紹]