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關(guān)于芯元基

芯元基自主開(kāi)發(fā)出了一整套全新的可以規(guī)?；慨a(chǎn)的以化學(xué)剝離（CLO）GaN生長(zhǎng)襯底為核心的GaN芯片技術(shù)及工藝。主要包括：一、復(fù)合藍(lán)寶石圖形襯底（DPSS)技術(shù)，與行業(yè)里常用的藍(lán)寶石圖形襯底（PSS）技術(shù)相比優(yōu)勢(shì)明顯；二、側(cè)向外延生長(zhǎng)技術(shù)可以把DPSS襯底上GaN外延層中的位錯(cuò)密度降低到10⁷/cm²，其他異質(zhì)外延生長(zhǎng)技術(shù)很難做到小于10⁸/cm²；三、化學(xué)剝離生長(zhǎng)襯底的工藝，與常規(guī)的激光剝離工藝相比，成本和良率優(yōu)勢(shì)非常明顯，從本質(zhì)上來(lái)講，激光剝離對(duì)芯片的漏電性能有負(fù)面影響，化學(xué)剝離可以減小芯片的漏電。

芯元基Micro LED芯片的亮度是主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的2倍以上，產(chǎn)品性能國(guó)際領(lǐng)先，獲得了重復(fù)的研發(fā)訂單。芯元基成功地開(kāi)發(fā)出了0.41 inch的單色Micro LED微顯示屏，在沒(méi)有進(jìn)行Demura的情況下，顯示均勻性已經(jīng)達(dá)到同行同類產(chǎn)品Demura后的水平。芯元基在國(guó)內(nèi)首次點(diǎn)亮了4萬(wàn)像素的矩陣車燈，在2024年6月上海國(guó)際車燈展會(huì)上，效果超過(guò)了國(guó)際大廠的展品。

芯元基的技術(shù)推動(dòng)了Micro LED芯片的規(guī)模化量產(chǎn)，用來(lái)生產(chǎn)Mini 薄膜倒裝LED芯片，由于省掉了襯底減薄，激光劃裂和裂片工序，芯片間不需要?jiǎng)澚褱系?，成本?yōu)勢(shì)非常明顯?；诒∧ば酒木A級(jí)封裝技術(shù)，能夠很好地發(fā)揮量子點(diǎn)的優(yōu)越性能，推動(dòng)Mini LED背光技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。

GaN材料在電子功率和射頻芯片方面的優(yōu)勢(shì)也是無(wú)與倫比，芯元基的核心技術(shù)（DPSS襯底、側(cè)向外延生長(zhǎng)技術(shù)、化學(xué)剝離襯底技術(shù)）可以很好的解決電子功率和射頻芯片的可靠性和散熱問(wèn)題。

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