光刻機(jī)所加工制作的芯片（器件或系統(tǒng)），在平板顯示、通訊、計(jì)算機(jī)、航空航天、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域取得廣泛應(yīng)用，其影響無(wú)所不在、無(wú)所不能。

 

　　可能還不是很清晰易懂，做個(gè)比喻。人類社會(huì)經(jīng)歷了前工業(yè)時(shí)代、工業(yè)時(shí)代和后工業(yè)時(shí)代。后工業(yè)時(shí)代包括現(xiàn)在的工業(yè)3.0、工業(yè)4.0，制造母機(jī)都是光刻機(jī)，這就相當(dāng)于工業(yè)時(shí)代的機(jī)床，前工業(yè)時(shí)代的人手。

　　這下知道光刻機(jī)的厲害了。

 

　　神話般存在也不算夸張。

 

　　以至于有網(wǎng)友提出：中芯國(guó)際與臺(tái)積電、三星（造芯）的差距只差一臺(tái)“光刻機(jī)”，但是真的是這樣嗎？

 

　　觀點(diǎn)一：不能妄自菲薄，但也不能不顧實(shí)際情況

 

　　拿臺(tái)積電來(lái)說(shuō)，已經(jīng)準(zhǔn)備試產(chǎn)3nm工藝制程，臺(tái)積電原本計(jì)劃在6月試產(chǎn)，投資了近1.5萬(wàn)億臺(tái)幣，約500億美元。而三星更是在1月份已經(jīng)公布，成功開(kāi)發(fā)了3nm制程。

 

　　在5nm工藝領(lǐng)域，臺(tái)積電將開(kāi)始進(jìn)行5nm制程工藝芯片的量產(chǎn)工作。

 

　　而中芯國(guó)際目前的現(xiàn)狀是中芯國(guó)際目前量產(chǎn)制程為14nm，已經(jīng)研發(fā)出了N+1的7nm低端工藝，同時(shí)高性能7nm工藝在研制中。

 

　　這可不是一臺(tái)“光刻機(jī)”能夠抹平的差距。

 

　　觀點(diǎn)二：關(guān)鍵差距在技術(shù)壁壘

 

　　中芯國(guó)際和臺(tái)積電的差距已經(jīng)不是單單一個(gè)光刻機(jī)這么簡(jiǎn)單的事情，屬于整體行業(yè)技術(shù)的差距，也是短時(shí)間內(nèi)無(wú)法趕上的技術(shù)壁壘，而且現(xiàn)在中芯國(guó)際的核心團(tuán)隊(duì)還是以前在臺(tái)積電，三星工作的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，大陸在這方面技術(shù)人員以及基礎(chǔ)還是相對(duì)薄弱，而且光刻機(jī)制造技術(shù)需要幾萬(wàn)個(gè)文件，曾經(jīng)有中國(guó)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)去參觀荷蘭ASML廠區(qū)，有技術(shù)人員感嘆就是把所有的圖紙都拿到未必能制造出來(lái)，可見(jiàn)工藝的復(fù)雜性。

 

　　觀點(diǎn)三：光刻機(jī)是關(guān)鍵，但不是最關(guān)鍵

 

　　中芯國(guó)際與臺(tái)積電、三星的技術(shù)實(shí)力差距，當(dāng)然不是只差一臺(tái)EUV（極紫外）光刻機(jī)。早在2018年，英特爾就向阿斯麥訂購(gòu)了3臺(tái)EUV光刻機(jī)，三星訂了6臺(tái)，臺(tái)積電則訂了10臺(tái)，結(jié)果臺(tái)積電在制程工藝上還是領(lǐng)先英特爾和三星一代，這就說(shuō)明EUV光刻機(jī)不是制約芯片廠制造技術(shù)進(jìn)步的唯一因素。

 

　　要發(fā)揮出光刻機(jī)的潛能，芯片制造廠還需要開(kāi)發(fā)出配套的制造工藝。可以說(shuō)，中芯國(guó)際和臺(tái)積電的最大差距就體現(xiàn)在制造工藝上。

 

　　觀點(diǎn)四：除光刻機(jī)外，技術(shù)、人才都缺

 

　　制造芯片，除了光刻機(jī)這種必須的設(shè)備之外，還需要技術(shù)、人才等等。

 

　　技術(shù)體現(xiàn)在專利，掌握的技術(shù)身上，目前芯片制造的很多專利在臺(tái)積電、三星等廠商手中，所以中芯國(guó)際在這一方面也不如臺(tái)積電、三星。

 

　　簡(jiǎn)而言之，由于起步晚，技術(shù)和人才積累少的緣故，中芯國(guó)際相對(duì)三星和臺(tái)積電都有很大差距，技術(shù)水平相差1.5代到兩代，市場(chǎng)份額的差距有10倍之巨，再加上購(gòu)買到荷蘭ASML的光刻機(jī)存在很大變數(shù)，所以未來(lái)中芯國(guó)際還有很長(zhǎng)的路要走。