臺達的三相光伏逆變器得益于SiC技術(shù)的高能效

推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，推出一款適用于太陽能逆變器應用的全SiC功率模塊，該產(chǎn)品已被全球領先的電源和熱管理方案供應商臺達選用，用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。

NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個1200 V、40mΩSiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V，40 A SiC升壓二極管。 SiC技術(shù)的使用提供了實現(xiàn)太陽能逆變器等應用中所要求高能效水平所需的低反向恢復和快速開關特性。

安森美半導體先進電源分部高級副總裁Asif Jakwani說：“碳化硅技術(shù)有潛力變革能源市場。安森美半導體開發(fā)的全SiC集成功率模塊解決了太陽能逆變器在提升功率水平下對更高系統(tǒng)能效的需求，并證實SiC技術(shù)的成熟?！?/p>

臺達光伏逆變器事業(yè)部主管Raymond Lee說：“我們專注于提供創(chuàng)新、清潔和節(jié)能的方案，以打造更美好的明天，我們一直在尋求與可幫助我們實現(xiàn)最高能效、減小產(chǎn)品體積和重量并滿足全球太陽能光伏市場需求的供應商合作。選用安森美半導體的全SiC功率模塊用于我們的M70A 70kW三相光伏組串逆變器，因為它們提供同類最佳的性能，再結(jié)合我們在高能效電力電子領域的獨特專知，使我們的產(chǎn)品能實現(xiàn)高達98.8％的峰值能量轉(zhuǎn)換能效?！?/p>

作為安森美半導體不斷增長的基于寬禁帶(WBG)技術(shù)的功率集成模塊(PIM)陣容的一員，NXH40B120MNQ集成度高，引腳分配針對逆變器設計進行了優(yōu)化。 通過使用SiC器件，功率模塊提供低導通和開關損耗，從而支持使用更高的開關頻率，有助于提高逆變能效。 這些模塊易于使用，可根據(jù)客戶的喜好，采用無焊壓合連接和客戶定義的熱接口選項。

NXH40B120MNQ全SiC電源模塊有2通道和3通道版本，還有2通道模塊NXH80B120MNQ0，集成了一個1200 V、80mΩSiC MOSFET和1200 V、20 A SiC二極管。

更多資源及文檔：

登陸頁：太陽能方案，寬禁帶方案

視頻：太陽能家居和電池儲能演示

關于安森美半導體

安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)致力于推動高能效電子的創(chuàng)新，使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體領先于供應基于半導體的方案，提供全面的高能效電源管理、模擬、傳感器、邏輯、時序、互通互聯(lián)、分立、系統(tǒng)單芯片(SoC)及定制器件陣容。公司的產(chǎn)品幫助工程師解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、醫(yī)療、航空及國防應用的獨特設計挑戰(zhàn)。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質(zhì)項目，一套強有力的守法和道德規(guī)范計劃，及在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設計中心在內(nèi)的業(yè)務網(wǎng)絡。更多信息請訪問http://www.onsemi.cn。