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中國(guó)28個(gè)碳化硅項(xiàng)目的分布在哪里?

日期:2020-08-11 來(lái)源:鳳鳴于鏘閱讀:495
核心提示:初步囊括28個(gè)碳化硅項(xiàng)目。其分布情況如下:福建6個(gè)、北京5個(gè)、湖南4個(gè)、江蘇4個(gè)、廣東2個(gè)、河北2個(gè)、山西1個(gè)、江西1個(gè)、山東1個(gè)、上海1個(gè)、浙江1個(gè)。
初步囊括28個(gè)碳化硅項(xiàng)目。
 
其分布情況如下:福建6個(gè)、北京5個(gè)、湖南4個(gè)、江蘇4個(gè)、廣東2個(gè)、河北2個(gè)、山西1個(gè)、江西1個(gè)、山東1個(gè)、上海1個(gè)、浙江1個(gè)。
北京:北京聚集了中科院半導(dǎo)體所、微電子所、物理所等有關(guān)院所,北京大學(xué)、清華大學(xué)等相關(guān)高校的大校大所優(yōu)勢(shì),在核心技術(shù)上掌握主動(dòng)。聚集了天科合達(dá)公司、泰科天潤(rùn)公司、世紀(jì)金光公司等相關(guān)生產(chǎn)制造企業(yè),在產(chǎn)業(yè)規(guī)模化方面占據(jù)優(yōu)勢(shì)。《北京市5G產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動(dòng)方案(2019年-2022年)》指出,在產(chǎn)業(yè)鏈核心器件上重點(diǎn)支持6英寸碳化硅、氮化鎵芯片工藝平臺(tái)項(xiàng)目,初期預(yù)計(jì)達(dá)到月加工1000片6英寸5G中高頻芯片生產(chǎn)目標(biāo)。
 
福建:福建碳化硅項(xiàng)目主要集中以廈門(mén)為代表,廈門(mén)集聚了瀚天天成、三安光電、芯光潤(rùn)澤等龍頭企業(yè),布局了全碳化硅智能功率模塊IPM產(chǎn)線、碳化硅半導(dǎo)體外延晶片產(chǎn)線等重點(diǎn)項(xiàng)目,三安光電、乾照光電、士蘭明稼等LED龍頭企業(yè)也加速往第三代半導(dǎo)體轉(zhuǎn)型升級(jí),初步形成了涵蓋襯底、外延、器件到模塊的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈,打造中國(guó)“碳化硅谷”。
 
湖南:長(zhǎng)沙在布局碳化硅上下了大力氣,引進(jìn)了泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體碳化硅芯片及器件項(xiàng)目、三安光電長(zhǎng)沙項(xiàng)目2個(gè)碳化硅項(xiàng)目,其中三安光電長(zhǎng)沙項(xiàng)目投資總額達(dá)160億元,將研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售6寸SiC導(dǎo)電襯底、4寸半絕緣襯底、SiC二極管外延、SiC MOSFET外延、SiC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。長(zhǎng)沙提出了圍繞“一條主線、三個(gè)中心和五個(gè)鏈條”的總體思路,打造新一代半導(dǎo)體材料中心(瀏陽(yáng)高新區(qū))、新一代半導(dǎo)體科創(chuàng)中心(湖南湘江新區(qū))、新一代半導(dǎo)體應(yīng)用及智造中心(望城經(jīng)開(kāi)區(qū))三個(gè)中心,布局材料芯片產(chǎn)業(yè)鏈、電子電力產(chǎn)業(yè)鏈、微波電子產(chǎn)業(yè)鏈、光電子產(chǎn)業(yè)鏈和配套衍生產(chǎn)業(yè)鏈五條鏈條,旨在打造以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體千億集群。
 
江蘇:江蘇碳化硅項(xiàng)目布局較為均衡,在南京、無(wú)錫、揚(yáng)州、徐州等地均有布局。位于南京的中電科55所具有雄厚的技術(shù)實(shí)力,建立了國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平高壓大電流SiC MOSFET器件研發(fā)平臺(tái),自主生產(chǎn)了SiC外延材料,在SiC二極管、SiC JFET、SiC MOSFET等器件研制上國(guó)內(nèi)領(lǐng)先。
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