（香港訊，2020年8月27日）全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司（“華虹半導(dǎo)體”或“公司”，股份代號：1347.HK）今日宣布，最新推出90納米超低漏電（Ultra-Low-Leakage，ULL）嵌入式閃存（eFlash）和電可擦可編程只讀存儲器（EEPROM）工藝平臺，滿足大容量微控制器（MCU）的需求。該工藝平臺作為華虹半導(dǎo)體0.11微米超低漏電技術(shù)的延續(xù)，以更低的功耗和成本為客戶提供具有競爭力的差異化解決方案，適用于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴式設(shè)備、工業(yè)及汽車電子等方面的應(yīng)用。

新近推出的90納米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺1.5V核心N型和P型MOS晶體管漏電達(dá)到0.2pA/μm，可有效延長MCU設(shè)備的待機(jī)時(shí)間。該平臺的嵌入式非易失性存儲器（eNVM，Embedded Non-Volatile Memory）IP具有10萬至50萬次擦寫次數(shù)、讀取速度達(dá)30ns等獨(dú)特優(yōu)勢。同時(shí)邏輯單元庫集成度高，達(dá)到400K gate/mm2以上，能夠幫助客戶多方面縮小芯片面積。

該工藝平臺的最大優(yōu)勢是集成了公司自有專利的分離柵NORD嵌入式閃存技術(shù)，在90納米工藝下?lián)碛心壳皹I(yè)界最小元胞尺寸和面積最小的嵌入式NOR flash IP，而且具有光罩層數(shù)少的優(yōu)勢，幫助客戶進(jìn)一步降低MCU、尤其是大容量MCU產(chǎn)品的制造成本。該平臺同時(shí)支持射頻（RF）、eFlash和EEPROM。

華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示：“公司致力于差異化技術(shù)的創(chuàng)新和不斷優(yōu)化，為客戶提供市場急需的、成本效益高的工藝和技術(shù)服務(wù)。在精進(jìn)8英寸平臺的同時(shí)，加快12英寸產(chǎn)線的產(chǎn)能擴(kuò)充和技術(shù)研發(fā)。物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子是MCU應(yīng)用的增量市場，此次90納米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺的推出，進(jìn)一步擴(kuò)大了華虹半導(dǎo)體MCU客戶群在超低功耗的市場應(yīng)用領(lǐng)域的代工選擇空間。”

關(guān)于華虹半導(dǎo)體

華虹半導(dǎo)體有限公司（“華虹半導(dǎo)體”，股份代號：1347.HK）（“本公司”）是全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)，特別專注于嵌入式非易失性存儲器、功率器件、模擬及電源管理和邏輯及射頻等特色工藝平臺，其卓越的質(zhì)量管理體系亦滿足汽車電子芯片生產(chǎn)的嚴(yán)苛要求。本公司是華虹集團(tuán)的一員，而華虹集團(tuán)是以集成電路制造為主業(yè)，擁有8+12英寸生產(chǎn)線先進(jìn)工藝技術(shù)的企業(yè)集團(tuán)。

本公司在上海金橋和張江建有三座8英寸晶圓廠（華虹一廠、二廠及三廠），月產(chǎn)能約18萬片；同時(shí)在無錫高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)內(nèi)建有一座12英寸晶圓廠（華虹七廠），月產(chǎn)能規(guī)劃為4萬片。華虹七廠于2019年正式落成并邁入生產(chǎn)運(yùn)營期，成為中國大陸領(lǐng)先的12英寸特色工藝生產(chǎn)線，也是大陸第一條12英寸功率器件代工生產(chǎn)線。

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