對于業(yè)績增長，揚(yáng)杰科技表示，報告期內(nèi)，繼續(xù)以消費(fèi)類電子行業(yè)為市場發(fā)展基礎(chǔ)，大力拓展工業(yè)變頻、自動化、網(wǎng)通等工業(yè)電子領(lǐng)域，重點(diǎn)布局5G通信、汽車電子、安防、充電樁、光伏微型逆變器等高端市場，挖掘揚(yáng)杰科技新的利潤增長點(diǎn)。同時，揚(yáng)杰科技持續(xù)推進(jìn)國際化戰(zhàn)略布局，加強(qiáng)海外市場與國內(nèi)市場的雙向聯(lián)動，實現(xiàn)產(chǎn)品認(rèn)證與批量合作的無縫對接；同時加強(qiáng)“揚(yáng)杰”和“MCC”雙品牌推廣管理，強(qiáng)化品牌建設(shè)，線下和線上相結(jié)合進(jìn)一步提升品牌影響力，著重推動與大型跨國集團(tuán)公司的合作進(jìn)程。

 

研發(fā)技術(shù)方面，揚(yáng)杰科技堅持以客戶和市場需求為導(dǎo)向，加大新產(chǎn)品的研發(fā)投入，攻堅克難持續(xù)提高產(chǎn)品質(zhì)量，計劃2020年全年研發(fā)投入不低于銷售收入的5%。報告期內(nèi)，揚(yáng)杰科技繼續(xù)優(yōu)化晶圓線產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，不斷豐富產(chǎn)品線，拓展高可靠性產(chǎn)品規(guī)格和高能效產(chǎn)品系列，持續(xù)向高端轉(zhuǎn)型。PSBD芯片、TSBD芯片已實現(xiàn)全系列量產(chǎn)并持續(xù)擴(kuò)充新規(guī)格；FRED芯片、PMBD芯片已實現(xiàn)多規(guī)格量產(chǎn)，并逐漸向全系列擴(kuò)展；LBD芯片、TMBD芯片、ESD防護(hù)芯片、LOWVF等新產(chǎn)品開發(fā)成功并實現(xiàn)了小批量生產(chǎn)；同時，全面提升TVS芯片的產(chǎn)品性能，有助于進(jìn)一步提升揚(yáng)杰科技在細(xì)分市場的領(lǐng)先地位。

 

同時，揚(yáng)杰科技積極推進(jìn)重點(diǎn)研發(fā)項目的管理實施?；?英寸工藝的溝槽場終止1200V IGBT芯片系列及對應(yīng)的模塊產(chǎn)品開始風(fēng)險量產(chǎn)，標(biāo)志著揚(yáng)杰科技在該產(chǎn)品領(lǐng)域取得了重要進(jìn)展。揚(yáng)杰科技成功開發(fā)并向市場推出了SGTN MOS和SGTP MOS N/P30V~150V等系列產(chǎn)品；持續(xù)優(yōu)化Trench MOS和SGT MOS系列產(chǎn)品性能并擴(kuò)充規(guī)格、品種；快速部署低功耗MOS產(chǎn)品開發(fā)戰(zhàn)略，積極配合國內(nèi)外中高端客戶，加速國產(chǎn)化替代進(jìn)程。揚(yáng)杰科技在深入了解客戶需求的基礎(chǔ)上，全面部署光伏產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品更新迭代發(fā)展戰(zhàn)略，加快新產(chǎn)品的研發(fā)速度。

 

另外，揚(yáng)杰科技在碳化硅功率器件等產(chǎn)品研發(fā)方面加大力度，以進(jìn)一步滿足揚(yáng)杰科技后續(xù)戰(zhàn)略發(fā)展需求，為實現(xiàn)半導(dǎo)體功率器件全系列產(chǎn)品的一站式供應(yīng)奠定堅實的基礎(chǔ)。

 

揚(yáng)杰科技表示，注重現(xiàn)有產(chǎn)品性能提升與技術(shù)突破，在研發(fā)中心成立課題研究小組，利用仿真軟件與DOE實驗相結(jié)合的方法，全方位、立體化、多角度地針對產(chǎn)品設(shè)計結(jié)構(gòu)和關(guān)鍵性能參數(shù)進(jìn)行改善實驗，實現(xiàn)產(chǎn)品性能的優(yōu)化提升，大幅度提高了產(chǎn)品的市場競爭力。