無(wú)錫新潔能是國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體芯片及器件設(shè)計(jì)龍頭。主營(yíng)為功率半導(dǎo)體芯片和器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)及銷售。公司深耕半導(dǎo)體功率器件行業(yè)，是國(guó)內(nèi)最早專門從事MOSFET、IGBT研發(fā)設(shè)計(jì)的企業(yè)之一，具備獨(dú)立的芯片設(shè)計(jì)能力和自主工藝流程設(shè)計(jì)平臺(tái)。

 

新潔能具備完善的MOSFET產(chǎn)品矩陣，技術(shù)實(shí)力和銷售規(guī)模處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位。公司基于全球半導(dǎo)體功率器件先進(jìn)理論技術(shù)開發(fā)領(lǐng)先產(chǎn)品，是國(guó)內(nèi)率先掌握超結(jié)理論技術(shù)，并量產(chǎn)屏蔽柵功率MOSFET及超結(jié)功MOSFET的企業(yè)之一；也是國(guó)內(nèi)最早同時(shí)擁有溝槽型功率MOSFET、超結(jié)功率MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET及IGBT四大產(chǎn)品平臺(tái)的本土企業(yè)之一。公司目前已成長(zhǎng)為國(guó)內(nèi)8英寸先進(jìn)工藝平臺(tái)芯片投片量最大的半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)公司之一、是國(guó)內(nèi)唯一一家完全基于8英寸芯片工藝平臺(tái)開發(fā)設(shè)計(jì)MOSFET和IGBT產(chǎn)品的功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)類龍頭企業(yè)。于2016-2019連續(xù)4年名列中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)。

 

根據(jù)IHS數(shù)據(jù)，2016、2017、2018年，公司MOSFET占國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額分別為2.88%、2.83%、3.65%，市場(chǎng)份額逐步提升，是除英飛凌（Infineon）、安森美（ONSemiconductor）、瑞薩電子（RenesasElectronics）等 9 家外資品牌外，國(guó)內(nèi)排名前茅的MOSFET研發(fā)設(shè)計(jì)及銷售本土企業(yè)。

 

公司產(chǎn)品按照是否封裝可以分為芯片和功率器件兩類。公司主要負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)方案，制造和封裝委托外部企業(yè)完成。公司是國(guó)內(nèi)8英寸先進(jìn)工藝平臺(tái)芯片投片量最大的功率器件設(shè)計(jì)公司之一。目前公司初步完成先進(jìn)封裝測(cè)試產(chǎn)線的建設(shè)，具有小批量封裝能力。

 

公司產(chǎn)品種類齊全，下游應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋廣闊。目前主要產(chǎn)品包括12V~200V溝槽型功率 MOSFET、30V~300V屏蔽柵功率MOSFET、500V~900V超結(jié)功率MOSFET和600V~1350V 溝槽柵場(chǎng)截止型IGBT，下游應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)電子以及新能源汽車/充電樁、智能裝備制造、物聯(lián)網(wǎng)、光伏新能源等領(lǐng)域。

 

新技術(shù)領(lǐng)域，公司目前已擁有"高浪涌電流能力碳化硅二極管""一種高耐壓的碳化硅肖特基二極管"等多項(xiàng)相關(guān)專利，并積極推進(jìn)"SiC 肖特基二極管工藝技術(shù)"、"氮化鎵功率 HEMT 工藝"等研發(fā)項(xiàng)目。

 

 

核心管理和科研團(tuán)隊(duì)均具有多年的功率半導(dǎo)體研發(fā)、管理從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，多人曾有國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)的相關(guān)工作經(jīng)歷，起點(diǎn)高、實(shí)力強(qiáng)，為公司成立以來(lái)的快速成長(zhǎng)打下扎實(shí)基礎(chǔ)。

 

控股股東、實(shí)際控制人朱袁正先生直接持有公司23.34%股權(quán)（同時(shí)朱袁正分別與葉鵬、王成宏等共計(jì)10名股東簽訂有關(guān)一致行動(dòng)的協(xié)議）。朱袁正先生亦是公司技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)軍人物，在半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)擁有超過30年的研究和工作經(jīng)歷，是國(guó)內(nèi)MOSFET 等半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域研究及產(chǎn)業(yè)化的親歷者和先行者。以其為領(lǐng)軍人物的公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)，是國(guó)內(nèi)最早一批專注于 8 英寸晶圓片工藝平臺(tái)對(duì) MOSFET、IGBT 等先進(jìn)的半導(dǎo)體功率器件進(jìn)行技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品設(shè)計(jì)的先行者之一，在該領(lǐng)域具有雄厚的技術(shù)實(shí)力和豐富的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。

 

截至2020年1月19日，公司擁有97項(xiàng)專利，其中發(fā)明專利35項(xiàng)、實(shí)用新型59項(xiàng)，外觀設(shè)計(jì)3項(xiàng)。

 

 

公司通過較強(qiáng)的產(chǎn)品技術(shù)、豐富的產(chǎn)品種類、優(yōu)良的產(chǎn)品質(zhì)量已為多個(gè)下游細(xì)分領(lǐng)域龍頭客戶供貨。功率器件行業(yè)上下游產(chǎn)業(yè)鏈之間具有高度的黏性，下游應(yīng)用行業(yè)對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量和供應(yīng)商的選定有嚴(yán)格的要求，一旦對(duì)選用的功率器件產(chǎn)品經(jīng)過測(cè)試、認(rèn)證并規(guī)?；褂弥髮⒉粫?huì)輕易更換。隨著公司品牌知名度提高，未來(lái)有望在國(guó)產(chǎn)替代的大趨勢(shì)下實(shí)現(xiàn)高速成長(zhǎng)。

 

2019公司營(yíng)收7.73億元，同比增長(zhǎng)7.9%。2020 H1實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入3.84億元，同比增長(zhǎng)17.0%。2019年公司受中美貿(mào)易摩擦、功率半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇以及8英寸晶圓代工成本上漲等因素影響，銷售毛利率及凈利率有所下滑，實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)9821萬(wàn)元，同比下降30.6%。2020 H1，公司利潤(rùn)率有所回升，實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)5534萬(wàn)元，同比上升47.8%，業(yè)績(jī)反彈增長(zhǎng)。

 

公司功率器件和芯片的營(yíng)收占比分別為76%和24%，功率器件占營(yíng)收比例呈逐年上升趨勢(shì)。隨著公司功率器件細(xì)分型號(hào)不斷豐富、品牌知名度不斷提升、資金實(shí)力不斷增強(qiáng)，公司主動(dòng)提升MOSFET器件的銷售占比以賺取更多利潤(rùn)。

 

 

分立器件行業(yè)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要分支，亦是電力電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)之一。主要用于電力電子設(shè)備的整流、穩(wěn)壓、開關(guān)、混頻等，具有應(yīng)用范圍廣、用量大等特點(diǎn)，在消費(fèi)電子、汽車電子、電子儀器儀表、工業(yè)及自動(dòng)控制、計(jì)算機(jī)及周邊設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)通訊等眾多國(guó)民經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域均有廣泛的應(yīng)用。

IHSMarkit數(shù)據(jù)顯示，2018全球功率器件市場(chǎng)規(guī)模約為391億美元，預(yù)計(jì)至2021年市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至441億美元，CAGR為4.1%，其中MOSFET和IGBT有望成為未來(lái)5年增長(zhǎng)最強(qiáng)勁的功率器件。

 

功率器件已歷經(jīng)數(shù)代發(fā)展。2008年，英飛凌（Infineon）率先推出屏蔽柵功率MOSFET，半導(dǎo)體功率器件的性能進(jìn)一步提升。

 

國(guó)內(nèi)市場(chǎng)而言，功率二極管、功率三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，而 MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其技術(shù)及工藝的先進(jìn)性，還較大程度上依賴進(jìn)口，未來(lái)進(jìn)口替代空間巨大。

 

目前國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈正在日趨完善，技術(shù)也正在取得突破。同時(shí)，中國(guó)也是全球最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)，2018年市場(chǎng)需求規(guī)模達(dá)到138億美元，增速為9.5%，占全球需求比例高達(dá)35%。預(yù)計(jì)未來(lái)中國(guó)功率半導(dǎo)體將繼續(xù)保持較高速度增長(zhǎng)，2021年市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到159億美元，年化增速達(dá)4.8%。

從技術(shù)實(shí)現(xiàn)和戰(zhàn)略需求兩個(gè)角度看，功率器件廠商有望加速實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化替代，行業(yè)前景長(zhǎng)期向好。

 

1、戰(zhàn)略需求端，功率器件屬于關(guān)鍵核心零部件。參照"制造2025"技術(shù)路線圖，先進(jìn)軌道交通裝備、節(jié)能與新能源汽車、電力裝備、高檔數(shù)控機(jī)床和機(jī)器人等已列為突破發(fā)展的十大重點(diǎn)領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體在以上重點(diǎn)領(lǐng)域皆具有關(guān)鍵性作用，亟需自主可控，戰(zhàn)略地位突出。

 

2、從技術(shù)角度，相較于IC，功率器件更偏向于成熟、標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品，而并非依賴和追求先進(jìn)制程，其產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力主要由工藝和產(chǎn)線的水平?jīng)Q定。隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體分立器件廠商逐步參與到國(guó)際市場(chǎng)的供應(yīng)體系，以及下游行業(yè)大力創(chuàng)新對(duì)上游分立器件行業(yè)的驅(qū)動(dòng)，我國(guó)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)已獲得長(zhǎng)足發(fā)展，并逐步形成對(duì)國(guó)外產(chǎn)品的替代。

 

整體來(lái)說，公司MOSFET產(chǎn)品矩陣完善，技術(shù)實(shí)力領(lǐng)先，是國(guó)內(nèi)少數(shù)幾家能夠研發(fā)設(shè)計(jì)并量產(chǎn)先進(jìn)的屏蔽柵MOSFET和超級(jí)結(jié)MOSFET的廠家之一。公司專注研發(fā)，利用募投項(xiàng)目進(jìn)行"超低能耗高可靠性半導(dǎo)體功率器件研發(fā)升級(jí)及產(chǎn)業(yè)化"及第三代半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目建設(shè)，為公司產(chǎn)品高端化和長(zhǎng)期發(fā)展奠定基礎(chǔ)。公司創(chuàng)立初期采用 Fabless 模式運(yùn)營(yíng)，將有限資源投入到研發(fā)中，取得快速成長(zhǎng)?，F(xiàn)階段公司開始自建封測(cè)產(chǎn)線，加強(qiáng)對(duì)功率半導(dǎo)體核心封測(cè)環(huán)節(jié)的控制，有利于與設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)形成協(xié)同優(yōu)化，并為公司長(zhǎng)期發(fā)展提供保障。