第三代半導(dǎo)體氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點(diǎn)，在新一代移動(dòng)通信中應(yīng)用潛力巨大。這一特定領(lǐng)域的突破標(biāo)志著寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向新的高地。與此同時(shí)，5G移動(dòng)通信發(fā)展如火如荼，隨著新基建等利好政策的釋放，產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)新的發(fā)展契機(jī)，擁有更多的可能性。

2020年11月23-25日，第十七屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）將在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦。南方科技大學(xué)與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦。
 

其中，由中電化合物半導(dǎo)體有限公司協(xié)辦的“微波射頻與5G移動(dòng)通信”分會(huì)，主題涵蓋氮化鎵微波器件及其單片集成電路材料外延、建模、設(shè)計(jì)與制造、可靠性技術(shù)及其在移動(dòng)通信中的應(yīng)用等各方面。國(guó)內(nèi)外知名專家齊聚，將呈現(xiàn)第三代半導(dǎo)體微波器件及其應(yīng)用的最新進(jìn)展。
 

河北半導(dǎo)體研究所副所長(zhǎng)蔡樹軍、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)張乃千領(lǐng)銜擔(dān)任本屆分會(huì)主席，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所首席科學(xué)家陳堂勝、中興通訊股份有限公司總工程師劉建利、日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)教授敖金平、中科院半導(dǎo)體所研究員張韻、荷蘭Ampleon Netherlands B.V. 可靠性首席工程師陶國(guó)橋。等來(lái)自產(chǎn)業(yè)鏈的中堅(jiān)力量共同擔(dān)任分會(huì)委員，提供堅(jiān)實(shí)的支持。來(lái)自國(guó)內(nèi)外高校、科研院所、企業(yè)的精英代表將帶來(lái)精彩報(bào)告，分享前沿研究成果。
 

期間，西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院副院長(zhǎng)、教授馬曉華將帶來(lái)高線性氮化鎵微波功率器件研究的主題報(bào)告。復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院研究員黃偉將分享面向5G/衛(wèi)星通信應(yīng)用的化合物半導(dǎo)體射頻芯片技術(shù)的最新進(jìn)展。中興通訊高級(jí)技術(shù)預(yù)研工程師蔡小龍將分享針對(duì)5G基站氮化鎵射頻HEMT的失效分析研究。中電化合物半導(dǎo)體有限公司研發(fā)總監(jiān)唐軍將分享SiC基GaN射頻材料熱阻的研究進(jìn)展。荷蘭Ampleon Netherlands B.V. 可靠性首席工程師陶國(guó)橋?qū)?lái)“從實(shí)驗(yàn)室到晶圓廠：淺述GaN RF功率制造實(shí)現(xiàn)卓越的實(shí)踐和挑戰(zhàn)”的主題報(bào)告。河北半導(dǎo)體研究所高級(jí)工程師王毅將分享寬帶高效S波段混合功率放大器的研究成果。南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院副教授汪青將分享Si基GaN射頻器件的關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展。西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院李楊將做”用于無(wú)線充電和功率傳輸?shù)幕贕aN肖特基勢(shì)壘二極管的微波整流器”的報(bào)告。
 

本屆論壇緊扣國(guó)家“新基建”、“十四五”等前瞻利好政策，以“把握芯機(jī)遇·助力新基建”為主題，屆時(shí)兩場(chǎng)國(guó)際性盛會(huì)同臺(tái)亮相，先進(jìn)技術(shù)熱點(diǎn)高度聚焦，政產(chǎn)學(xué)研用行業(yè)領(lǐng)袖齊聚，共商未來(lái)產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計(jì)。
 

11月，深圳見(jiàn)！
 

時(shí)間：2020年11月25日下午14:00-17:30

地點(diǎn)：深圳會(huì)展中心  五層玫瑰廳1

 

 

http://www.sslchina.org/
 

主要研究領(lǐng)域?yàn)楣?，砷化鎵和氮化鎵等新型材料器件和電路。在?guó)內(nèi)外刊物發(fā)表專業(yè)文章近百篇。
 

2007年回國(guó)創(chuàng)辦能訊半導(dǎo)體并任總裁。能訊是中國(guó)首家第三代半導(dǎo)體氮化鎵電子器件設(shè)計(jì)與制造商業(yè)企業(yè)，自主進(jìn)行氮化鎵外延生長(zhǎng)、晶圓制造、內(nèi)匹配與封裝等。

長(zhǎng)期從事寬禁帶半導(dǎo)體高功率微波電子學(xué)領(lǐng)域的研究和人才培養(yǎng)，是國(guó)內(nèi)較早開展寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)基微波器件和電路的研究者。尤其是在高效率微波功率器件結(jié)構(gòu)創(chuàng)新、工藝優(yōu)化實(shí)現(xiàn)及其在極端環(huán)境下的可靠性和穩(wěn)定性研究中取得了創(chuàng)新性和應(yīng)用性的成果。先后主持“核高基”科技重大專項(xiàng)、“863計(jì)劃”、自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目等國(guó)家級(jí)項(xiàng)目20余項(xiàng)。研究成果獲國(guó)家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)1項(xiàng)省部級(jí)一等獎(jiǎng)5項(xiàng)；發(fā)表SCI論文120余篇，獲國(guó)家發(fā)明專利授權(quán)80余件。

長(zhǎng)期從事特色工藝、第三代半導(dǎo)體應(yīng)用研究與實(shí)用化技術(shù)開發(fā)，先后在香港科技大學(xué)、CETC從事博士后研究工作。曾在Motorola、CETC旗下的企業(yè)從事模擬半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)與企業(yè)孵化、運(yùn)行管理等相關(guān)工作。多次獲得省部級(jí)獎(jiǎng)項(xiàng)，出版專著一部。先后獲得國(guó)家外專局人才引智計(jì)劃、江蘇省雙創(chuàng)千人計(jì)劃等。

有近10年從事氮化鎵外延材料技術(shù)開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，在氮化鎵基藍(lán)綠光LED、UVC、硅襯底及碳化硅襯底氮化鎵外延技術(shù)方面積累了豐富的材料生長(zhǎng)經(jīng)驗(yàn)。發(fā)表SCI論文6篇，申請(qǐng)發(fā)明專利30余件。

曾就職于飛利浦照明，任首席質(zhì)量工程師，專注于照明用的LED器件，模塊及系統(tǒng)的可靠性。也曾就職于荷蘭飛利浦半導(dǎo)體/恩智浦半導(dǎo)體，專攻器件物理，工藝開發(fā)，及可靠性，特別是在先進(jìn)的嵌入式Non-Volatile Memory 技術(shù)。他是Philips/NXP 2T-FNFN 嵌入式快閃記憶體器件（flash device）的發(fā)明人。

先后主持或主研了國(guó)家自然科學(xué)青年科學(xué)基金項(xiàng)目、中國(guó)博士后科學(xué)基金面上項(xiàng)目、廣東省重大項(xiàng)目以及廣東省計(jì)劃項(xiàng)目等八項(xiàng)國(guó)家和省部級(jí)項(xiàng)目，2015年獲得“東莞市特色人才”支持。 主要研究方向?yàn)镚aN電力電子器件和射頻器件，綜合設(shè)計(jì)和制備適用于5G通訊 、電動(dòng)汽車和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的GaN基器件，發(fā)表SCI/EI論文20余篇，受邀撰寫了一本專業(yè)英文書籍重要章節(jié)，申請(qǐng)了二十余項(xiàng)發(fā)明專利，參與撰寫氮化鎵微波射頻技術(shù)路線圖（2020版），2019年獲得第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟年度突出貢獻(xiàn)獎(jiǎng)。