11月23-25日，由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十七屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）在深圳會(huì)展中心召開(kāi)。
25日上午，功率電子器件及封裝技術(shù)分會(huì)氮化鎵專場(chǎng)如期召開(kāi)。本屆分會(huì)由廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司，中電化合物半導(dǎo)體有限公司，英諾賽科(珠海)科技有限公司共同協(xié)辦。
碳化硅、氮化鎵是重要的第三代半導(dǎo)體材料。在大功率高頻器件中具有重要的應(yīng)用，其材料水平直接決定了器件的性能。分會(huì)期間，美國(guó)康奈爾大學(xué)電氣和計(jì)算機(jī)工程教授Huili Grace XING，南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院院長(zhǎng)、教授于洪宇，中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員孫錢，北京大學(xué)副教授王茂俊，中國(guó)空間技術(shù)研究院北京衛(wèi)星制造廠鄭研，電子科技大學(xué)教授周琦，英諾賽科（珠海）科技有限公司工藝制程開(kāi)發(fā)總監(jiān)謝文元，中山大學(xué)黎城朗等來(lái)自國(guó)內(nèi)外科研院所、企業(yè)的精英代表帶來(lái)精彩報(bào)告，分享前沿研究成果。電子科技大學(xué)教授張波和中山大學(xué)電力電子及控制技術(shù)研究所所長(zhǎng),教授劉揚(yáng)共同主持了本場(chǎng)分會(huì)。
美國(guó)康奈爾大學(xué)電氣和計(jì)算機(jī)工程教授Huili Grace XING帶來(lái)了視頻報(bào)告，分享了氮化鎵功率電子與相關(guān)基本性能限制。
南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院院長(zhǎng)、教授于洪宇分享了Si基GaN功率器件及其電源系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展，介紹了寬禁帶半導(dǎo)體器件研究進(jìn)展，包括GaN-HEMT優(yōu)化、使用GaN-HEMT的電源適配器、GaN傳感器、諧振器和濾波器、Beta-Ga2O3 MOSFET等，并表示，南方科技大學(xué)已成立第三代半導(dǎo)體研究所和5G中高頻器件制造中心，以推動(dòng)WBS的研發(fā)。重點(diǎn)研究GaN功率器件、GaN射頻器件、GaN傳感器和濾波器。
中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所周宇帶來(lái)了硅基GaN增強(qiáng)型HEMT電力電子器件的研究成果。分享了硅基GaN HEMT材料研究基礎(chǔ)，p-GaN柵增強(qiáng)型HEMT的關(guān)鍵技術(shù)。
北京大學(xué)尹瑞苑做了題為”氮化鎵MIS結(jié)構(gòu)界面相關(guān)陷阱態(tài)：物性、表征及模型“的主題報(bào)告，報(bào)告指出，界面性質(zhì)是影響MIS結(jié)構(gòu)的重要因素，可以通過(guò)AFM、XPS、TEM、EDX等手段進(jìn)行檢測(cè)。邊界陷阱可以通過(guò)低頻噪聲、交流gm、準(zhǔn)靜態(tài)電容、閾值電壓漂移測(cè)量來(lái)評(píng)估。同時(shí)考慮溝道電阻和邊界陷阱效應(yīng)的分布式網(wǎng)絡(luò)模型很好地描述了大溝道電阻MIS二極管的阻抗頻散特性。
中國(guó)空間技術(shù)研究院北京衛(wèi)星制造廠鄭巖帶來(lái)了”寬禁帶功率器件的宇航應(yīng)用技術(shù)“的主題報(bào)告，報(bào)告顯示，寬禁帶半導(dǎo)體材料及器件在宇航領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊，可支撐新一代航天器大功率電源系統(tǒng)；GaN功率器件主要應(yīng)用于分布式電源系統(tǒng)，形成新一代高效輕量化電源；SiC材料及器件主要應(yīng)用于大功率高電壓電源系統(tǒng)、耐高溫傳感器等，形成高效、高可靠驅(qū)動(dòng)模塊、高壓模塊和混合能源系統(tǒng)功率模塊等產(chǎn)品；國(guó)外已經(jīng)推出部分宇航級(jí)功率器件產(chǎn)品，但仍然處于探索階段，寬禁帶功率器件在耐空間環(huán)境、適應(yīng)高頻高功率密度的高可靠封裝、驅(qū)動(dòng)及控制、應(yīng)用驗(yàn)證及評(píng)價(jià)等方面仍然存在較大的差距，需要持續(xù)開(kāi)展深入的研究工作。
電子科技大學(xué)教授周琦分享了基于超薄勢(shì)壘AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)與混合陽(yáng)極二極管技術(shù)的微波混頻器與功率整流器的最新進(jìn)展。報(bào)告指出，實(shí)際應(yīng)用推動(dòng)了GaN功率器件技術(shù)的發(fā)展。GaN二極管在分立器件和功率集成中都有重要作用。
英諾賽科（珠海）科技有限公司工藝制程開(kāi)發(fā)總監(jiān)謝文元分享了八英寸硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展。硅基氮化鎵技術(shù)進(jìn)步飛速，未來(lái)面對(duì)智慧城市及家居，新基建，現(xiàn)代工業(yè)，新能源汽車，再生能源等諸多應(yīng)用領(lǐng)域，可能會(huì)迎來(lái)萬(wàn)億級(jí)的新市場(chǎng)。硅基氮化鎵在快充領(lǐng)域已有應(yīng)用，低壓氮化鎵在人工智能，Lidar等領(lǐng)域有應(yīng)用機(jī)遇。
中山大學(xué)黎城朗分享凹槽深度對(duì)GaN槽柵型縱向?qū)ňw管電學(xué)特性的影響研究的最新進(jìn)展。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）
