11月23-25日，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。
 

25日下午，由山西中科潞安紫外光電科技有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司共同協(xié)辦的“固態(tài)紫外器件技術(shù)分會”如期召開。

第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高等優(yōu)越性質(zhì)。其中氮化物材料是第三代半導(dǎo)體材料中最引人矚目的材料，尤其是GaN（氮化鎵）基光電子器件在白光照明領(lǐng)域非常成功。紫外LED也是目前氮化物技術(shù)發(fā)展和第三代材料技術(shù)發(fā)展的主要趨勢，隨著環(huán)保及公共安全等領(lǐng)域的需求升級，固態(tài)紫外技術(shù)擁有廣闊的應(yīng)用前景。
 

分會重點關(guān)注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結(jié)構(gòu)設(shè)計及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關(guān)鍵制備技術(shù)。并涵蓋紫外器件的先迚封裝材料及技術(shù)，包括光提取、熱管理及器件可靠性的提升方法等，力圖全面呈現(xiàn)第三代半導(dǎo)體紫外發(fā)光和探測領(lǐng)域在材料、器件、封裝及應(yīng)用等各層面的國內(nèi)外最新迚展。

 

分會期間，康奈爾大學(xué)教授Debdeep JENA,北京大學(xué)教授、北京大學(xué)東莞光電研究院院長王新強(qiáng),中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員, 山西中科潞安紫外光電科技有限公司副總經(jīng)理閆建昌,廈門大學(xué)教授蔡端俊,廈門三安光電股份有限公司副總經(jīng)理GaN事業(yè)部總經(jīng)理張中英,中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所副研究員郭煒,湖北大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授黎明鍇,河北半導(dǎo)體研究所高級工程師周幸葉等來自國內(nèi)外高校、科研院所、企業(yè)的精英代表將帶來精彩報告，分享前沿研究成果。中科院半導(dǎo)體所研究員、半導(dǎo)體照明研發(fā)中心主任王軍喜，廈門大學(xué)教授康俊勇，南京大學(xué)教授陸海共同主持了本屆分會。

  

因疫情原因無法親自到場，康奈爾大學(xué)教授Debdeep JENA帶來了視頻報告，分享了深紫外LED和激光器的量子設(shè)計的研究成果。

 

北京大學(xué)教授、北京大學(xué)東莞光電研究院院長王新強(qiáng)（因院里有要事，康俊杰博士代講）分享了面向消毒應(yīng)用的超高功率深紫外光源的研究進(jìn)展。報告分享了高質(zhì)量AlGaN材料生長和深紫外芯片制備，陶瓷基板和超高功率集成光源及消毒應(yīng)用等內(nèi)容，并指出，采用NPSS和退火平片襯底生長AlN模板，其材料質(zhì)量非常優(yōu)越。采用中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司高溫MOCVD設(shè)備生長的深紫外LED外延片具有良好的均勻性和一致性。開發(fā)出可進(jìn)行超高功率集成封裝用的陶瓷基板。依托目前所掌握的技術(shù)，開發(fā)出能應(yīng)用于殺菌消毒的超高功率集成光源，效果明顯。

 

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員, 山西中科潞安紫外光電科技有限公司副總經(jīng)理閆建昌帶來了“高效AlGaN-DUV光發(fā)射器的新技術(shù)：從2D到3D”的主題報告，分享了新技術(shù)的研究進(jìn)展與成果，報告顯示，在2D材料上外延DUV-led為大功率紫外器件提供了一個有趣的解決方案。納米結(jié)構(gòu)和納米加工可以有效地提高AlGaN基DUV-led的效率。AlGaN基DUV發(fā)光二極管具有廣闊的市場前景，但仍需進(jìn)一步研究。

 

廈門大學(xué)教授蔡端俊帶來了“氯離子局域場驅(qū)動的快速除氫p型增強(qiáng)技術(shù)及深紫外LED效率提升”的主題報告，分享了其研究成果。

 

廈門三安光電股份有限公司副總經(jīng)理GaN事業(yè)部總經(jīng)理張中英分享了UVB & UVC AlGaN基深紫外LED器件的最新進(jìn)展。介紹了量子結(jié)構(gòu)設(shè)計與高質(zhì)量外延，優(yōu)化芯片結(jié)構(gòu)獲得高性能AlGaN-DUV-LED，DUV LED產(chǎn)品線和模塊解決方案等內(nèi)容。

中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所副研究員郭煒分享了鋁鎵氮深紫外量子阱及LED：斜切角襯底及橫向極性疇的影響研究成果。報告顯示，基于斜切角調(diào)控顯著提高了載流子局域化現(xiàn)象，提高了紫外LED內(nèi)量子效率和發(fā)光功率，且富Ga條帶與穿透位錯無關(guān)；橫向極性結(jié)構(gòu)（LPS）充分利用了金屬極性和氮極性各自的優(yōu)勢，可以在極性疇界面處實現(xiàn)發(fā)光強(qiáng)度的極大提升。目前主要挑戰(zhàn)在于高鋁組分N極性的形貌和晶體質(zhì)量優(yōu)化，界面陡峭度調(diào)控等。

 

湖北大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授黎明鍇分享了HfxSn1-xO2薄膜在深紫外探測領(lǐng)域的應(yīng)用，并介紹了HfxSn1-xO2外延薄膜的制備，HfxSn1-xO2外延薄膜的XRD衍射譜等具體技術(shù)。

 

河北半導(dǎo)體研究所高級工程師周幸葉帶來了“高性能碳化硅雪崩光電二極管及其紫外探測器陣列”的主題報告，涉及制備高性能4H-SiC紫外apd和陣列，并對其進(jìn)行了紫外檢測研究，分立器件具有高增益，高QE，低暗電流，高SPDE，高穩(wěn)定性的特點，陣列具有高均勻性，高像素產(chǎn)量，低BV變化的特點等。
 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）