近日，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。
期間，由華燦光電股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司共同協(xié)辦的“Mini/Micro-LED新型顯示技術(shù)”分會上，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長、教授劉斌做了題為“具有GaN隧道結(jié)的高效率綠光微型LEDs的PA-MBE制備”主題報告，分享了最新成果。
為增強空穴的注入效率，研究利用PA-MBE等離子體輔助分子束外延技術(shù)在C面綠光LEDs外延片上外延出GaN隧道結(jié)。該隧道結(jié)是由MBE生長的n++-GaN層和MOCVD生長的LEDs頂層p+-GaN層構(gòu)成，這有利于實現(xiàn)陡峭的摻雜界面和超薄的耗盡區(qū)寬度，從而實現(xiàn)高效的帶間隧穿。
研究將利用該方法制備出來的TJ-LED外延片制備成不同直徑的微型LEDs器件。與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)微型LEDs器件相比，在I-V測試中，TJ結(jié)微型LEDs表現(xiàn)出更小的器件電阻。
此外，隧道結(jié)微型LEDs的相對EQE測試結(jié)果表明其具有更低的閾值電流密度，并且增強的EL強度和相對EQE值（在32 A/cm2的注入電流密度下增強了約41.5%）都表明隧道結(jié)的引入降低了綠光LED的droop效應(yīng)，增加了器件的發(fā)光效率。在對不同直徑的隧道結(jié)微型LEDs器件進行J-V測試研究表明LEDs頂部的n++/n+-GaN外延層可有效的實現(xiàn)載流子的注入。
劉斌長期開展III族氮化物半導(dǎo)體材料和微納光電子器件研究，并兼任重點實驗室/工程中心副主任，曾在英國謝菲爾德大學(xué)III-V族半導(dǎo)體國家實驗室從事博士后研究，在中國香港中文大學(xué)、瑞典皇家工學(xué)院(KTH)等訪問研究；主持國家重點研發(fā)計劃與國家自然科學(xué)基金項目/課題10余項，目前已發(fā)表SCI學(xué)術(shù)論文180篇，申請/授權(quán)發(fā)明專利50余項，獲國家自然科學(xué)基金委優(yōu)秀青年基金，入選教育部青年長江學(xué)者。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）
