近日,由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)主辦,南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA 2020)暨2020國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS 2020)在深圳會展中心召開。
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![章金惠](http://m.jycsgw.cn/file/upload/202012/07/162444641.png)
期間,由華燦光電股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司共同協(xié)辦的“Mini/Micro-LED新型顯示技術(shù)”分會上,佛山市國星光電股份有限公司主任工程師章金惠分享了從Mini到Micro LED技術(shù)演變的問題、思考及進展,分享了最新技術(shù)進展。
LED顯示技術(shù)朝4K/8K超高清顯示發(fā)展,分辨率越高,像素尺寸微縮化方向發(fā)展。報告指出,2018年開始LED顯示屏到P1.0~P0.4 Mini LED顯示時代。P1.0~P0.4 Mini LED顯示的封裝技術(shù)包含SMD、IMD和COB。Micro LED技術(shù)面臨結(jié)構(gòu)設(shè)計、工藝開發(fā)、可靠性、系統(tǒng)集成等四大挑戰(zhàn)。Micro LED顯示封裝產(chǎn)業(yè)化則面臨著新材料、新設(shè)備、新結(jié)構(gòu)以及良率成本等問題。
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Micro LED前景雖可期,但現(xiàn)階段的技術(shù)尚不到位。由于Micro LED需要處理極高數(shù)量與極小尺寸的芯片,在其顯示封裝技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化面臨多項挑戰(zhàn):結(jié)構(gòu)設(shè)計方面,傳統(tǒng)分立器件貼裝結(jié)構(gòu),除我司獨有的IMD封裝技術(shù)外,其他均難以達到P0.X要求,超薄、超高清等顯示要求對Micro LED顯示封裝結(jié)構(gòu)提出新挑戰(zhàn);工藝開發(fā)方面,Micro LED顯示制造技術(shù)從實現(xiàn)路徑到成本良率面臨諸多挑戰(zhàn),包括芯片制造、巨量轉(zhuǎn)移與鍵合、全彩化顯示等技術(shù)難題;可靠性方面,Micro LED顯示屏用器件劇增,巨量集成導(dǎo)致焊接、封裝質(zhì)量和壞點維修難度大;系統(tǒng)集成方面,系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)指標暫無統(tǒng)一規(guī)范的指導(dǎo)標準,Micro LED顯示暫無豐富內(nèi)容和終端支持。
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目前,國星光電在Micro LED領(lǐng)域已實現(xiàn)了較大的技術(shù)突破,在第一代Micro LED顯示屏的基礎(chǔ)上,已與面板廠合作開發(fā)出基于TFT玻璃背板的主動式驅(qū)動Micro LED全彩顯示屏。近日,采用自主研發(fā)的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù),已經(jīng)初步實現(xiàn)250PPI以上紅/綠/藍單色轉(zhuǎn)移鍵合點亮。
預(yù)計明年將實現(xiàn)P0.1以下的主動式驅(qū)動全彩顯示及P0.0x以下的被動式驅(qū)動單色顯示,未來可滲透在4k/8k大尺寸電視顯示屏、車載顯示屏、穿戴設(shè)備顯示設(shè)備、AR/VR等應(yīng)用市場。
目前國星光電已成立國星研究院、微顯示企業(yè)重點實驗室、Micro&Mini LED研究中心三大創(chuàng)新科研平臺,通過開放合作的模式,加強與學(xué)術(shù)界及產(chǎn)業(yè)界協(xié)作,聯(lián)手產(chǎn)業(yè)鏈上中下游各個環(huán)節(jié),集中優(yōu)勢資源攻克微顯示行業(yè)技術(shù)性難題,合力打破技術(shù)發(fā)展瓶頸,并積極研發(fā)定制化、先進的LED顯示封裝解決方案,推動科研技術(shù)成果孵化,共同推進Micro LED產(chǎn)業(yè)化,實現(xiàn)共贏。
(內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理,如有出入敬請諒解)