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北京大學(xué)康俊杰:面向消毒應(yīng)用的超高功率深紫外光源

日期:2020-12-09 來源:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:385
核心提示:由山西中科潞安紫外光電科技有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司共同協(xié)辦的“固態(tài)紫外器件技術(shù)分會”上,北京大學(xué)康俊杰分享了面向消毒應(yīng)用的超高功率深紫外光源的研究進展。報告從高質(zhì)量AlGaN材料生長和深紫外芯片制備,陶瓷基板和超高功率集成光源及消毒應(yīng)用等角度詳細(xì)分享了相關(guān)技術(shù)進展。
 近日,由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)主辦,南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA 2020)暨2020國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS 2020)在深圳會展中心召開。
代替王新強教授2

期間,由山西中科潞安紫外光電科技有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司共同協(xié)辦的“固態(tài)紫外器件技術(shù)分會”上,北京大學(xué)康俊杰分享了面向消毒應(yīng)用的超高功率深紫外光源的研究進展。報告從高質(zhì)量AlGaN材料生長和深紫外芯片制備,陶瓷基板和超高功率集成光源及消毒應(yīng)用等角度詳細(xì)分享了相關(guān)技術(shù)進展。

報告指出,采用NPSS和退火平片襯底生長AlN模板,其材料質(zhì)量非常優(yōu)越。采用中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司高溫MOCVD設(shè)備生長的深紫外LED外延片具有良好的均勻性和一致性。開發(fā)出可進行超高功率集成封裝用的陶瓷基板。依托目前所掌握的技術(shù),開發(fā)出能應(yīng)用于殺菌消毒的超高功率集成光源,效果明顯。

(內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理,如有出入敬請諒解)
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