近日，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。
 

期間，德國愛思強(qiáng)股份有限公司協(xié)辦的“超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)”分會上，鄭州大學(xué)教授、河南省電子材料與系統(tǒng)國際聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室國家電子材料與系統(tǒng)國際聯(lián)合研究中心主任劉玉懷分享了金剛石襯底上六方相氮化硼薄膜的有機(jī)金屬氣相外延的最新進(jìn)展。

 

六方相氮化硼和金剛石均為下一代電子器件和光電子器件的優(yōu)異材料，二者的結(jié)合可望帶來更佳特性，但鮮見金剛石上生長六方相氮化硼的報道。研究首次展示利用有機(jī)金屬氣相外延方法在金剛石襯底上生長六方相氮化硼薄膜。AFM、XRD、TEM測試結(jié)果表明，(100)面金剛石襯底上生長的六方相氮化硼薄膜呈無序狀，而(100)面金剛石襯底上生長的六方相氮化硼薄膜呈單晶形態(tài)，六方相氮化硼與(100)面金剛石之間的晶向關(guān)系為[0 0 0 1]hBN // [1 1 1]diamond 以及 [1 0  0]hBN // [1 1 ]diamond。XPS測試結(jié)果表明，hBN/ (111)diamond價帶帶階為1.4 ± 0.2?eV，從而得到導(dǎo)帶帶階1.0 ± 0.2 eV。此外，在金剛石襯底預(yù)處理方面，純氫氣氛圍有利于得到平坦的表面，有利于六方相氮化硼的生長；而氫氣與氨氣的混合氛圍容易導(dǎo)致襯底表面出現(xiàn)小坑，從而破壞后期六方相氮化硼的生長。

劉玉懷現(xiàn)任鄭州大學(xué)信息工程學(xué)院電子與信息工程系教授、博士生導(dǎo)師、科技部電子材料與系統(tǒng)國家級國際聯(lián)合研究中心主任、河南省電子材料與系統(tǒng)國際聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室主任、日本名古屋大學(xué)客座教授。獲河南省教育廳學(xué)術(shù)技術(shù)帶頭人、河南省高?？萍紕?chuàng)新人才、河南省高層次人才B類等稱號。主要研究方向?yàn)榈锇雽?dǎo)體材料與器件，主持國家重點(diǎn)研發(fā)計劃政府間國際科技創(chuàng)新合作重點(diǎn)專項(xiàng)（基于氮化物半導(dǎo)體的深紫外激光器的研究）、國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、河南省科技攻關(guān)項(xiàng)目等12項(xiàng)。發(fā)表論文與會議報告215篇，國際會議邀請報告12次。日本專利公開1項(xiàng)、授權(quán)中國發(fā)明專利1項(xiàng)、實(shí)用新型項(xiàng)專利1項(xiàng)、軟件著作權(quán)5項(xiàng)。紫外LED技術(shù)轉(zhuǎn)移1項(xiàng)。目前主持第三批“智匯鄭州1125創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)領(lǐng)軍團(tuán)隊(duì)”三色LED集成芯片項(xiàng)目，參與寧波市2025重大科技專項(xiàng)“深紫外LED產(chǎn)業(yè)化”。
 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）