12月17日，南大光電公告，公司控股子公司寧波南大光電自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品近日成功通過客戶的使用認證。

 

認證評估報告顯示，“本次認證選擇客戶50nm閃存產(chǎn)品中的控制柵進行驗證，寧波南大光電的ArF光刻膠產(chǎn)品測試各項性能滿足工藝規(guī)格要求，良率結(jié)果達標。”

 

“ArF光刻膠產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”是寧波南大光電承接國家“02專項”的一個重點攻關(guān)項目，總投資6億元，項目完全達產(chǎn)后，預(yù)計實現(xiàn)約10億元的年銷售額，年利稅預(yù)計約2億元。本次產(chǎn)品的認證通過，標志著“ArF光刻膠產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”項目取得了關(guān)鍵性的突破，成為國內(nèi)通過產(chǎn)品驗證的第一只國產(chǎn)ArF光刻膠。

 

光刻膠是半導(dǎo)體光刻工藝的核心材料，決定了半導(dǎo)體圖形工藝的精密程度和良率，其質(zhì)量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。光刻膠作為半導(dǎo)體芯片制造過程中的核心材料之一，經(jīng)過紫外光、電子束等照射，光刻膠得到曝光，化學(xué)性質(zhì)發(fā)生改變，經(jīng)過顯影液的洗滌，圖案會留在襯底上。光刻膠分為KrF(248nm)、ArF(193nm)和EUV(13.5nm)幾種，括號中的數(shù)值為曝光光源的波長。

 

與此相對的，作為高精尖的半導(dǎo)體制造核心材料，由于技術(shù)壁壘和客戶壁壘高，全球半導(dǎo)體光刻膠市場集中度高，市場被美日公司長期壟斷。日本的JSR、東京應(yīng)化、信越化學(xué)及富士電子四家企業(yè)占據(jù)了全球70%以上的市場份額，處于市場壟斷地位。

 

按不同制程，半導(dǎo)體用光刻膠可分為EUV光刻膠、ArF光刻膠、KrF光刻膠及G線、i線光刻膠，前三者均為高端光刻膠產(chǎn)品，產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，截至2019年國內(nèi)在g線/i線光刻膠僅達到20%自給率，而KrF光刻膠自給率不足 5%，ArF光刻膠則完全依賴進口。研發(fā)進度上，EUV光刻膠為目前市場上最高端的光刻膠，目前國內(nèi)還未開始涉及，但在ArF光刻膠、KrF光刻膠領(lǐng)域，除了南大光電外，國內(nèi)已有眾多企業(yè)相繼開啟研發(fā)。

 

南大光電主要從事高純電子材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，通過承擔國家重大技術(shù)攻關(guān)項目并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。目前，公司形成MO源、電子特氣、光刻膠及配套材料以及ALD/CVD前驅(qū)體材料等業(yè)務(wù)板塊。本次通過客戶認證的產(chǎn)業(yè)化意義大。本次驗證使用的50nm閃存技術(shù)平臺，在特征尺寸上，線制程工藝可以滿足45nm-90nm光刻需求，孔制程工藝可滿足65nm-90nm光刻需求，該工藝平臺的光刻膠在業(yè)界有代表性。

 

南大光電表示，目前與客戶的產(chǎn)品銷售與服務(wù)協(xié)議尚在協(xié)商之中。同時，ArF光刻膠的復(fù)雜性決定了其在穩(wěn)定量產(chǎn)階段仍然存在工藝上的諸多風(fēng)險，其在應(yīng)用工藝的改進、完善等方面的表現(xiàn)，都會決定ArF光刻膠的量產(chǎn)規(guī)模和經(jīng)濟效益。