近日，由國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯盟（CSA）與第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟（CASA）主辦，南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。
 

期間，由江蘇南大光電材料股份有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司協辦的“襯底、外延及生長裝備”分會上，澳大利亞格里菲斯大學昆士蘭微納米技術中心研究員Jisheng HAN分享關于SiO2/SiC界面的物理機制的研究成果。報告顯示，基于離子注入vdmosfet閾值電壓不穩(wěn)定性與溝道載流子遷移率下降之間的強相關性，不需要離子注入區(qū)的umosfet可以實現。

最先進的4H-SiC mosfet仍然存在性能（低溝道載流子遷移率和高閾值電壓）和可靠性（閾值電壓不穩(wěn)定性）問題。這些問題被歸因于存在于SiO2–SiC界面區(qū)域的大量電活性缺陷。報告綜述了SiO2-SiC的物理機制。比較了SiO2/Si與SiO2/SiC的異同。介紹了氮在界面上的作用及其作為減少界面有害鍵的關鍵作用。最后回顧了目前的性能和可靠性現狀。討論了提高4H-sicmosfet溝道遷移率和可靠性的技術和方法。
 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）