半導(dǎo)體分立器件是電力電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)之一，也是構(gòu)成電力電子變化裝置的核心器件之一，主要用于電力電子設(shè)備 的整流、穩(wěn)壓、開(kāi)關(guān)、混頻等，具有應(yīng)用范圍廣、用量大等特點(diǎn)，在消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、電子儀器儀表、工業(yè)及 自動(dòng)控制、計(jì)算機(jī)及周邊設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)通訊等眾多國(guó)民經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域均有廣泛的應(yīng)用。功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域已從工業(yè)控制和消費(fèi)電子拓展至新能源、軌道交通、 智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場(chǎng)，市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)健增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。1.2 功率半導(dǎo)體發(fā)展趨勢(shì)

材料:新型半導(dǎo)體材料，如寬帶材料SIC、GAN等;芯片技術(shù):提升可靠工作溫度、電流密度(減少面積);更精細(xì)結(jié)構(gòu);新型結(jié)構(gòu);芯片集成性能(柵 極電阻、溫度測(cè)量、單片系統(tǒng)集成等);組合旗艦(RC-IGBT);AVT(組合裝配和連線技術(shù)):提升抗溫和負(fù)載變化可靠性;改善散熱效果;優(yōu)化布線;集成化程度:提升功率模塊集成規(guī)模來(lái)降低系統(tǒng)成本;提高控制、監(jiān)測(cè)和保護(hù)功能的集成;提高整個(gè)系統(tǒng)的集成。1.2 功率半導(dǎo)體發(fā)展趨勢(shì):新材料

SIC及GaN等寬帶系材料是新的替代材料的重點(diǎn);具有更低的控制和開(kāi)關(guān)損耗、更高阻斷電壓、更高功率密度、更高可靠工作溫度、更短響應(yīng)時(shí)間和更高開(kāi)關(guān)頻率;SIC推廣關(guān)鍵因素:生產(chǎn)成本、單鏡片質(zhì)量和穩(wěn)定性、生產(chǎn)所要求的最佳硅片尺寸;4’’SIC鏡片存在很高質(zhì) 量缺陷，價(jià)格是硅片數(shù)倍;目前SIC在肖基二極管中廣泛應(yīng)用;晶圓價(jià)格的持續(xù)下降將會(huì)是SIC成本下降的主要推動(dòng)力;Yole預(yù)計(jì)SIC功率器件市場(chǎng)規(guī)模將由2018年的4.24億美元增長(zhǎng)至2024年的20.20億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率30%。

2.1 細(xì)分賽道

從2019年全球功率半導(dǎo)體單個(gè)產(chǎn)品市場(chǎng)規(guī)模占比數(shù)據(jù)來(lái)看，功率IC與功率器件的總體市場(chǎng)規(guī)模占比基本持平，分別占比54%和46%，功率IC市場(chǎng)規(guī)模稍高于功率器件。在功率器件組別中，MOSFET占據(jù)主導(dǎo)地位，市場(chǎng)規(guī)模占比38.6%，IGBT市場(chǎng)規(guī)模占比30.3%，其中IGBT模塊市場(chǎng)份額最高，達(dá)到15.8%。2.2 下游應(yīng)用

根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，以下游來(lái)看，2019年，汽車(chē)(不含EV/HEV)、無(wú)線通信、計(jì)算機(jī)、工業(yè)EV/HEV、電動(dòng)機(jī)占比分別為21%、18%、17%、16%、8%和20%;至2025年，EV/HEV是功率器件增長(zhǎng)最快的領(lǐng)域，將由6億美元增長(zhǎng)至18億美元。汽車(chē)(不含EV/HEV)、工業(yè)、電動(dòng)機(jī)也都會(huì)有一定增長(zhǎng)，而無(wú)線通信、計(jì)算機(jī)市場(chǎng)可能出現(xiàn)下滑。2.3 全球市場(chǎng)空間——總體市場(chǎng)規(guī)模逐步上升

從2014年至2019年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模增速數(shù)據(jù)可以看出，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)步上升的趨勢(shì)，全球市場(chǎng)空間由2014年的345億美元增長(zhǎng)至2019年的454億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到了5.6%。2.3 全球市場(chǎng)空間——細(xì)分市場(chǎng)IGBT和MOSFET

全球IGBT市場(chǎng)空間:IGBT市場(chǎng)規(guī)模繼續(xù)上升，2018年市場(chǎng)規(guī)模突破60億美元，2019年進(jìn)一步提升至63.4億美元;全球MOSFET市場(chǎng)空間:MOSFET市場(chǎng)在2017年之后逐年上漲，2018年達(dá)到75.8億美元，2019年進(jìn)一步上升至81億美元。 2014-2019年，年復(fù)合增速約8.6%。2.4 國(guó)內(nèi)市場(chǎng)空間——增速快于全球市場(chǎng)

從2014年至2018年，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模逐步上升，在2018年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到138億美元。中國(guó)市場(chǎng)增速整體上超過(guò)全球市場(chǎng)規(guī)模增速， 2017、2018年分別實(shí)現(xiàn)12.5%和9.5%增長(zhǎng)。3.1 全球競(jìng)爭(zhēng)格局——英飛凌、安森美及意法半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)明顯

全球功率器件:從2019年全球功率器件市場(chǎng)排名得到，英飛凌占據(jù)絕對(duì)主導(dǎo)地位，市場(chǎng)份額接近20% ，安森美緊隨其后， 占據(jù)8.4%的市場(chǎng)份額。全球MOSFET:英飛凌同樣占據(jù)主導(dǎo)地位，市場(chǎng)份額接近25%，安森美和意法半導(dǎo)體各占12.8%和9.5%。全球功率IC:在功率IC的全球市場(chǎng)份額中，德州儀器排名第一，占據(jù)16%的市場(chǎng)份額，英飛凌和ADI公司排名第二和第三， 分別占據(jù)7.7%和7.2%的市場(chǎng)份額。英飛凌在全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占據(jù)較高的市場(chǎng)份額，其全球功率器件和MOSFET市場(chǎng)份額都排名第一，安森美和意法半 導(dǎo)體公司在功率器件方面也有較大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。在功率IC市場(chǎng)，德州儀器具有較大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，ADI和高通也占有一定比 例的份額。報(bào)告節(jié)選：

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