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北京:加速第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域技術(shù)和產(chǎn)品的研發(fā)過程

日期:2021-01-20 來源:證券時報閱讀:355
核心提示:北京市副市長、秘書長靳偉20日表示,在補足短板方面,著力攻克重要領(lǐng)域關(guān)鍵的核心技術(shù)。一是推動集成電路產(chǎn)研一體突破。二是開展
 北京市副市長、秘書長靳偉20日表示,在補足短板方面,著力攻克重要領(lǐng)域關(guān)鍵的核心技術(shù)。一是推動集成電路產(chǎn)研一體突破。二是開展關(guān)鍵新材料的技術(shù)攻關(guān),加速第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域技術(shù)和產(chǎn)品的研發(fā)過程。三是聚焦通用型的關(guān)鍵零部件,研發(fā)突破部分儀器的關(guān)鍵零部件。四是推動高端儀器設(shè)備研發(fā)實現(xiàn)突破,支持形成一批服務(wù)于重大的科技基礎(chǔ)設(shè)施的定制化的科學(xué)儀器和設(shè)備。
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