近年來(lái)，盡管我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展取得了重大進(jìn)步，但是核心技術(shù)受制于人的局面仍然沒(méi)有根本改變，急需加強(qiáng)核心技術(shù)攻關(guān)，保障供應(yīng)鏈安全和產(chǎn)業(yè)安全。
當(dāng)前，我國(guó)對(duì)IGBT(即絕緣柵雙極型晶體管，被稱為電力電子裝置的“CPU”，是目前技術(shù)最先進(jìn)、應(yīng)用最廣泛的功率半導(dǎo)體器件)的市場(chǎng)需求高居全球第一大位置，但供給仍主要依賴進(jìn)口，對(duì)外依存度達(dá)到90%左右。需求缺口主要由例如英飛凌、三菱、富士電機(jī)等國(guó)際大廠來(lái)滿足。隨著我國(guó)新興產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能的高速增長(zhǎng)，供需缺口問(wèn)題越發(fā)明顯，IGBT國(guó)產(chǎn)替代勢(shì)在必行。
據(jù)了解，IGBT產(chǎn)業(yè)鏈可以分為四部分，分別為芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、模塊設(shè)計(jì)以及制造封測(cè)。2019年，我國(guó)工信部明確指出，在當(dāng)前復(fù)雜的國(guó)際形勢(shì)下，工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊的發(fā)展滯后將制約我國(guó)新舊動(dòng)能轉(zhuǎn)化及產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型，進(jìn)而影響國(guó)家經(jīng)濟(jì)發(fā)展。
近日，國(guó)際權(quán)威機(jī)構(gòu)IHS Markit (中文名稱：埃信華邁)研究預(yù)測(cè)，世界IGBT模塊市場(chǎng)將以平均11.1%的增速持續(xù)增長(zhǎng)，其中中國(guó)市場(chǎng)將以13.3%的增速冠絕全球。IGBT模塊模塊數(shù)將從2020年的2100萬(wàn)只增長(zhǎng)到2023年的3000萬(wàn)只，金額將從2020年的14億美元增長(zhǎng)到2023年的20億美元，而同期MOSFET預(yù)計(jì)是負(fù)增長(zhǎng)，IPM(Intelligent Power Module，即智能功率模塊)的增速只有2%。
IGBT模塊擁有著巨大的市場(chǎng)空間。近日，記者就該份報(bào)告所反映的內(nèi)容采訪了上市公司賽晶科技集團(tuán)創(chuàng)始人、董事會(huì)主席及執(zhí)行董事項(xiàng)頡，嘗試從他的分析中，進(jìn)一步了解IGBT模塊的市場(chǎng)空間及未來(lái)發(fā)展?jié)摿Α?/div>
項(xiàng)頡在電力電子行業(yè)方面擁有逾20年經(jīng)驗(yàn)。他所創(chuàng)辦的賽晶科技集團(tuán)系世界領(lǐng)先的科技創(chuàng)新型企業(yè)，擁有多項(xiàng)技術(shù)專利，客戶群覆蓋諸多著名應(yīng)用廠商，譬如國(guó)家電網(wǎng)，比亞迪等等。賽晶科技自2016年起就開(kāi)始進(jìn)行IGBT相關(guān)的研發(fā)性工作，目前已經(jīng)完成了研發(fā)團(tuán)隊(duì)組建、首款產(chǎn)品的論證和設(shè)計(jì)、完善的供應(yīng)鏈體系建立、啟動(dòng)自主IGBT生產(chǎn)基地建設(shè)等一系列工作。
記者：IGBT模塊市場(chǎng)的走向?qū)?huì)如何？市場(chǎng)需求將集中在哪些應(yīng)用場(chǎng)景？
項(xiàng)頡：中國(guó)市場(chǎng)IGBT模塊的平均銷售價(jià)格2020年為67.8美元，2023年預(yù)計(jì)為65.3美元。顯示大電流、大功率的IGBT模塊繼續(xù)是市場(chǎng)需求主流。
從市場(chǎng)來(lái)看，EV(純電動(dòng)汽車)將成為IGBT模塊的第一大應(yīng)用場(chǎng)景，從2020年的4.64億美元增長(zhǎng)到2023年的8.34億美元，年均增速28.8%；工業(yè)變頻將繼續(xù)保持第二的位置，從2020年的3.28億美元增長(zhǎng)到2023年的3.55億美元，年均增速5.7%；新能源發(fā)電將保持第三的位置，從2020年的2.64億美元增長(zhǎng)到2023年的3億美元。需要指出的是，光伏發(fā)電的需求占比將超過(guò)86%，年均增長(zhǎng)達(dá)到11.3%，而風(fēng)電是年均負(fù)增長(zhǎng)9%。這三大領(lǐng)域的需求將占到中國(guó)IGBT模塊市場(chǎng)需求的76.8%。
記者：目前，行業(yè)內(nèi)對(duì)IGBT傾向于按照應(yīng)用場(chǎng)景的電壓等級(jí)加以分類，主要分為低壓(600V以下)、中壓(600V-1200V)和高壓(1700V以上)三個(gè)主要電壓等級(jí)。從電壓來(lái)看，IGBT市場(chǎng)將呈現(xiàn)怎么樣的分布？
項(xiàng)頡：從電壓來(lái)看，600V-1200V的IGBT模塊市場(chǎng)需求將從2020年的2.83億美元增長(zhǎng)到2023年的3.67億美元，年均增速7.9%；1200V-1400V的IGBT模塊市場(chǎng)需求將從2020年的7.57億美元增長(zhǎng)到2023年的10.49億美元，年均增速17.2%；1700V的IGBT模塊市場(chǎng)需求將從2020年的2億美元增長(zhǎng)到2023年的2.84億美元，年均增速12.7%。600V-1700V的IGBT模塊占到整個(gè)IGBT模塊市場(chǎng)的87.7%。從電流來(lái)看，150A-900A的IGBT模塊占整個(gè)IGBT模塊市場(chǎng)的67%。
值得注意的是，SiIGBT+SiCDiode的混合模塊將從2020年的2億美元增長(zhǎng)到2023年的2.65億美元，年均增速10.8%；全SiC模塊將從2020年的1.26億美元增長(zhǎng)到2023年的2.85億美元，年均增速28.9%。
記者：IGBT產(chǎn)業(yè)一直以來(lái)處于不溫不火的狀態(tài)，而新能源汽車、智能電網(wǎng)改革全面提速讓IGBT的需求爆發(fā)式增長(zhǎng)。目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供需失衡的“多米諾骨牌效應(yīng)”已經(jīng)出現(xiàn)。在下游應(yīng)用領(lǐng)域，IGBT模塊是客戶產(chǎn)品中的關(guān)鍵器件，由于替換成本較高，因此產(chǎn)品質(zhì)量和穩(wěn)定性十分重要。截至目前，我國(guó)IGBT廠商在技術(shù)、資金、品牌、人才等積累與國(guó)外廠商相比，仍然顯得十分不足。但是，受益于國(guó)產(chǎn)替代需求，政府推動(dòng)國(guó)產(chǎn)替代，扶持企業(yè)發(fā)展，已經(jīng)成為未來(lái)的大趨勢(shì)。據(jù)我了解，賽晶科技正在致力推出IGBT的自研產(chǎn)品，公司能否在緩解產(chǎn)業(yè)鏈緊張方面起到作用？
項(xiàng)頡：從目前的研發(fā)與生產(chǎn)進(jìn)度看來(lái)，三年內(nèi)，賽晶研發(fā)的芯片和模塊技術(shù)將可以覆蓋大部分IGBT模塊市場(chǎng)。
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