高壓SiC MOSFET器件是中國(guó)電科四大重點(diǎn)業(yè)務(wù)板塊之一——“產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)”板塊中的重要組成部分。中國(guó)電科55所李士顏和團(tuán)隊(duì)一起填補(bǔ)了我國(guó)在該領(lǐng)域多項(xiàng)技術(shù)空白，為超高壓SiC器件在裝備應(yīng)用提供了技術(shù)支撐。

 

研發(fā)過(guò)程中，沒(méi)有充足的可借鑒研究文獻(xiàn)，遇到困難的李士顏并沒(méi)有坐以待斃，通過(guò)采用多套技術(shù)方案相互迭代驗(yàn)證的途徑，經(jīng)歷了多次“失敗，改進(jìn)，再失敗，再改進(jìn)”的過(guò)程，最終，實(shí)現(xiàn)了高效、高穩(wěn)定性的高壓終端保護(hù)技術(shù)攻關(guān)。2021年，他作為技術(shù)骨干參與的“SiC MOSFET電力電子器件”入選國(guó)資委十大國(guó)有企業(yè)數(shù)字技術(shù)成果。

 

李士顏從團(tuán)隊(duì)的融入者轉(zhuǎn)變?yōu)轭I(lǐng)頭人用了5年時(shí)間，在入職之初，他扎根生產(chǎn)一線，接觸了具有豐富工藝經(jīng)驗(yàn)的前輩和老師傅，加深了對(duì)器件工藝技術(shù)的理解，迅速熟悉了工藝流程；他虛心請(qǐng)教支部有豐富研發(fā)經(jīng)驗(yàn)的黨員領(lǐng)導(dǎo)和同事，在方案制定，難點(diǎn)攻關(guān)上得到了指導(dǎo)，迅速積累在該領(lǐng)域的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)；在第三代半導(dǎo)體國(guó)創(chuàng)中心籌建中，他和團(tuán)隊(duì)克服了周期緊、任務(wù)重的困難，完成了建設(shè)方案、技術(shù)方案、設(shè)備方案的系統(tǒng)調(diào)研和實(shí)施方案設(shè)計(jì)，保障了籌建任務(wù)節(jié)點(diǎn)。

 

他所負(fù)責(zé)的高壓電力電子器件，在先進(jìn)裝備、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET器件領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步離不開(kāi)勇攀高峰、敢為人先的創(chuàng)新精神，他有信心、也有能力為實(shí)現(xiàn)科技自立自強(qiáng)貢獻(xiàn)自己的青春力量。

 

原標(biāo)題：《李士顏：第三代半導(dǎo)體碳化硅高壓領(lǐng)域的前行者 | 學(xué)黨史·好榜樣》