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中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過太空驗(yàn)證

中國太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗(yàn)證

昕感科技申請一種終端復(fù)合結(jié)構(gòu)及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯率

一文解開遠(yuǎn)山氮化鎵功率器件實(shí)現(xiàn)耐高壓的秘密

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件

國產(chǎn)芯片！紅旗發(fā)布了首臺1700V超高壓碳化硅功率模塊樣品

是德科技推出適用于功率半導(dǎo)體的 3kV高壓晶圓測試系統(tǒng)

揚(yáng)杰科技申請“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

積塔半導(dǎo)體BCD復(fù)合高壓隔離器平臺開發(fā)團(tuán)隊(duì)：積沙成塔，用“芯”取得新突破

CASICON晶體大會前瞻|上海交通大學(xué)王亞林：高壓SiC功率模塊封裝、測試及應(yīng)用研究

CSPSD 2024論壇2：追蹤高壓器件設(shè)計(jì)、集成及封裝應(yīng)用發(fā)展趨勢

百識電子完成A+輪融資，加速耐高壓、大尺寸第三代半導(dǎo)體外延布局

斯達(dá)微電子高壓特色工藝功率芯片和SIC芯片項(xiàng)目設(shè)備搬入

北大團(tuán)隊(duì)研發(fā)超低動態(tài)電阻氮化鎵高壓器件，耐壓能力大于6500V

新疆首個高壓電力電子實(shí)驗(yàn)室投入使用

智己汽車聯(lián)席CEO劉濤：2024，決戰(zhàn)智能化！

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小米發(fā)布 800V 碳化硅高壓平臺：最高電壓 871V，電池續(xù)航可超 1000km

東南大學(xué)溧陽研究院中標(biāo)《高壓碳化硅功率模組封裝與集成技術(shù)研究服務(wù)》項(xiàng)目

有研硅：主要用于高壓IGBT的8英寸區(qū)熔硅片已進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段

上車！哪吒汽車發(fā)布250kW 800V高壓SiC電驅(qū)系統(tǒng)

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小鵬汽車“扶搖”架構(gòu)：將標(biāo)配全域800V高壓SiC碳化硅平臺

中國科大首次實(shí)現(xiàn)基于碳化硅中硅空位色心的高壓原位磁探測

國際首次！科研團(tuán)隊(duì)在基于碳化硅硅空位色心的高壓原位磁探測研究方面取得突破

美國弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊：中高壓（1-10kV）氮化鎵功率器件新進(jìn)展

簡述高壓 SiC MOSFET 研究現(xiàn)狀與展望

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