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揚杰科技申請“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利,提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

日期:2024-09-12 閱讀:246
核心提示:天眼查知識產(chǎn)權(quán)信息顯示,揚州揚杰電子科技股份有限公司申請一項名為一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法,公開號 CN2

天眼查知識產(chǎn)權(quán)信息顯示,揚州揚杰電子科技股份有限公司申請一項名為“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法“,公開號 CN202410712262.4,申請日期為 2024 年 6 月。

專利摘要顯示,一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法,涉及半導體技術領域。通過改變無機鈍化層的組成結(jié)構(gòu),設計成了 SiO2、SiN、SiO2 三明治的結(jié)構(gòu),其中每層 SiO2 的厚度不小于 200nm,SiN 的厚度不小于 600nm,上層為有機鈍化層。類似三明治的三層結(jié)構(gòu)使得器件在高壓的 H3TRB 可靠性項目中能夠更好得到保護,在高壓的 H3TRB 項目中,隨著項目的進行,三層結(jié)構(gòu)的無機鈍化層可以保證器件在實驗過程中更好的隔絕水汽,保護碳化硅外延層,從而提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性。

 

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