亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<strike id="mii62"></strike>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

蘇州納米所秦華團隊在氮化鎵基無源太赫茲相控陣機制研究方面取得進展

中科半導體發(fā)布氮化鎵機器人智能快充芯片

氮化鎵外延層中位錯輔助的電子和空穴傳輸研究取得進展

蘇州納米所研制出氮化鎵光子晶體面發(fā)射激光器

比利時氮化鎵廠商BelGaN破產(chǎn)損失高達100萬歐元

武大、西電合作攻克范德華外延氮化鎵高質(zhì)量成核與生長難題，為跨材料、跨功能的寬禁帶半導體異構(gòu)集成掃清了關(guān)鍵障礙

安徽格恩半導體申請氮化鎵基半導體激光器元件專利，提升限制因子

ROHM 回應(yīng)合作方臺積電計劃 2027 年退出氮化鎵：暫無重大影響

國家重點研發(fā)計劃“大尺寸氮化鎵單晶制備用高溫超高壓反應(yīng)釜設(shè)計制造技術(shù)”項目啟動暨實施方案論證會召開

英飛凌宣布：在300mm氮化鎵生產(chǎn)路線圖方面取得突破！

臺積電證實：未來兩年內(nèi)逐步退出氮化鎵業(yè)務(wù)

納微半導體攜手力積電，啟動8英寸氮化鎵晶圓量產(chǎn)計劃

雷電微力：研制低成本低剖面氮化鎵組件部分已量產(chǎn)

氮矽科技推出TOLL封裝的增強型硅基氮化鎵（GaN）晶體管

英諾賽科與美的威靈合作，加速氮化鎵在空調(diào)電機應(yīng)用！

英諾賽科與美的威靈達成氮化鎵戰(zhàn)略合作

西交利物浦大學劉雯課題組招收氮化鎵功率器件方向博士生（英國利物浦大學學位）

南京大學團隊在國際功率半導體會議ISPSD上發(fā)布兩項宇航用氮化鎵功率器件輻照效應(yīng)研究成果

國產(chǎn)首顆機器人關(guān)節(jié)“氮化鎵驅(qū)動器芯片”正式商用

中科院蘇州納米所孫錢團隊與合作者在氮化鎵紫外探測領(lǐng)域取得新進展

CSPSD2025 | 近30位專家學者齊聚探討氮化鎵及超寬禁帶功率器件新未來！

氮化鎵明星企業(yè)陷破產(chǎn)危機：聚力成半導體從50億項目到清算邊緣

CSPSD 2025前瞻|英諾賽科孟無忌：GaN“上車”之路——氮化鎵在電動汽車中應(yīng)用方案與優(yōu)勢

CSPSD 2025前瞻|?氮矽科技羅鵬：集成驅(qū)動氮化鎵芯片的必要性與發(fā)展趨勢

江南大學成果推介:氮化鎵微波功率器件

CSPSD 2025前瞻|南京大學周峰：氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究

CSPSD 2025前瞻|新微半導體王慶宇：氮化鎵賦能未來，突破功率極限，開啟能效革命

意見征集 | 北大光電院牽頭的異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測試方法標準形成征求意見稿

Polar與瑞薩電子達成硅基氮化鎵技術(shù)授權(quán)協(xié)議

YS/T 1654-2023《氮化鎵化學分析方法痕量雜質(zhì)元素含量的測定輝光放電質(zhì)譜法》標準解讀

第1頁/共14頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<blockquote id="ikm6m"></blockquote><cite id="ikm6m"><input id="ikm6m"></input></cite>

<button id="ikm6m"></button>

<ul id="ikm6m"></ul><delect id="ikm6m"><th id="ikm6m"></th></delect>

<delect id="ikm6m"><th id="ikm6m"></th></delect>

<cite id="ikm6m"><table id="ikm6m"></table></cite>