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第三代半導(dǎo)體中“慢半拍”的氮化鎵掀起并購(gòu)熱

我國(guó)攻克1200V以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

廣東微納院半導(dǎo)體微納加工中試平臺(tái)通線，具有8英寸硅晶圓和氮化鎵晶圓加工能力

西安電子科技大學(xué)攻克 1200V 以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

三安半導(dǎo)體“氮化鎵功率器件的制備方法、氮化鎵功率器件”專(zhuān)利公布

三安光電突破氮化鎵芯片產(chǎn)業(yè)化難題

CASICON晶體大會(huì)平行論壇2：追蹤氮化鎵、超寬禁帶晶體及其應(yīng)用進(jìn)展

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所張逸韻:異質(zhì)集成氮化鎵微腔激光器及光電器件研究

名古屋大學(xué)天野浩團(tuán)隊(duì)Nature發(fā)文：氮化鎵的2D-Mg摻雜現(xiàn)象

CASICON晶體大會(huì)前瞻|深圳大學(xué)劉新科：低成本垂直氮化鎵功率器件

中國(guó)科大孫海定教授和武大劉勝院士Nature Electronics封面論文: 發(fā)明新型氮化鎵光電二極管

CSPSD 2024成都前瞻|上海大學(xué)任開(kāi)琳：一種新型氮化鎵基發(fā)光高電子遷移率晶體管

CSPSD 2024成都前瞻|成都信息工程大學(xué)羅小蓉：《氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)、驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用

CSPSD 2024成都前瞻 |西交利物浦大學(xué)劉雯：用于功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的氮化鎵單片集成

CSPSD 2024成都前瞻 |中國(guó)科學(xué)院微電子研究所蔣其夢(mèng)：氮化鎵功率器件開(kāi)關(guān)安全工作區(qū)的研究

CSPSD 2024成都前瞻|北京工業(yè)大學(xué)張亞民：面向氮化鎵微波功率器件的異質(zhì)界面溫升表征方法

大連理工大學(xué)“氮化鎵氣體傳感器及其制備方法、應(yīng)用”專(zhuān)利公布

北京大學(xué)申請(qǐng)p溝道氮化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備方法專(zhuān)利，實(shí)現(xiàn)電流密度的增加

中國(guó)科學(xué)院微電子所在厚膜氮化鎵與多晶金剛石異質(zhì)集成方面取得新進(jìn)展

中科大孫海定教授Adv. Mater.: 構(gòu)建雙極型氮化鎵PN結(jié)實(shí)現(xiàn)雙通道加密光通信應(yīng)用

東微半導(dǎo)申請(qǐng)氮化鎵器件及其制造方法專(zhuān)利，提供一種氮化鎵器件

中瓷電子：博威公司致力于為全球通信設(shè)備供應(yīng)商提供氮化鎵通信射頻集成電路產(chǎn)品和服務(wù)

氮化鎵的新變局垂直整合成為重要目標(biāo)

誰(shuí)將成為功率氮化鎵領(lǐng)域的參賽者和下一個(gè)收購(gòu)目標(biāo)？

器件新突破！香港科技大學(xué)教授陳敬團(tuán)隊(duì)成功研制一種融合氮化鎵和碳化硅二者優(yōu)點(diǎn)的實(shí)驗(yàn)晶體管！

北大團(tuán)隊(duì)研發(fā)超低動(dòng)態(tài)電阻氮化鎵高壓器件，耐壓能力大于6500V

山東發(fā)布新政，加快實(shí)施集成電路“強(qiáng)芯”等十大工程

重大突破！第三代半導(dǎo)體在寧加速布局

簡(jiǎn)述氮化鎵(GaN)的應(yīng)用市場(chǎng)

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

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