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杭州鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵襯底技術(shù)突破，助力客戶實(shí)現(xiàn)2400V增強(qiáng)型晶體管

萬國半導(dǎo)體申請用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護(hù)功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

上海燁映微電子申請 GaN 晶體管與柵極驅(qū)動(dòng)器合封專利，實(shí)現(xiàn)高頻能力

上海積塔半導(dǎo)體申請?zhí)蓟?span id="k8mcew8" class="highlight">晶體管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

CSPSD 2024成都前瞻|上海大學(xué)任開琳：一種新型氮化鎵基發(fā)光高電子遷移率晶體管

北京大學(xué)申請p溝道氮化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備方法專利，實(shí)現(xiàn)電流密度的增加

西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進(jìn)展

器件新突破！香港科技大學(xué)教授陳敬團(tuán)隊(duì)成功研制一種融合氮化鎵和碳化硅二者優(yōu)點(diǎn)的實(shí)驗(yàn)晶體管！

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

IFWS 2023│華南師范大學(xué)尹以安：具復(fù)合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究

IFWS 2023│臺(tái)灣成功大學(xué)李清庭：GaN基單片電子器件的集成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體D模和E模高電子遷移率晶體管

湖南大學(xué)物電院劉淵教授團(tuán)隊(duì)在小尺寸晶體管研究中取得新進(jìn)展

山東大學(xué)徐明升：金剛石場效應(yīng)晶體管及深紫外光電探測研究

西安交通大學(xué)王瑋：低功函數(shù)柵極增強(qiáng)型氫終端單晶金剛石場效應(yīng)晶體管研究

CASICON西安站前瞻|西安交通大學(xué)王瑋：低功函數(shù)柵極增強(qiáng)型氫終端單晶金剛石場效應(yīng)晶體管研究

MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用

實(shí)現(xiàn)1>1+1的創(chuàng)新！Wolfspeed 碳化硅基氮化鎵功率晶體管，賦能蜂窩通信創(chuàng)新

中國科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院朱顥研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)低功耗負(fù)量子電容場效應(yīng)晶體管器件

復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)合作發(fā)明晶圓級硅基二維互補(bǔ)疊層晶體管

GAA 晶體管繼任者？復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊(duì)公布CFET新進(jìn)展！

CASA發(fā)布T/CASAS 022-2022 三相智能電表用氮化鎵場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范

復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)低功耗負(fù)量子電容場效應(yīng)晶體管器件

深圳智芯微電子牽頭起草的《三相智能電表用氮化鎵場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)已形成委員會(huì)草案

深圳智芯微牽頭T/CASAS 022《三相智能電表用氮化鎵場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范》征求意見

聞泰科技：安世半導(dǎo)體的產(chǎn)品主要包括Mosfet、邏輯與晶體管等

三星宣布3納米芯片正式開始量產(chǎn) 采用新 GAA晶體管架構(gòu) 提高30%性能

重磅！3.5億個(gè)晶體管，國內(nèi)集成電路領(lǐng)域再突破

二維半導(dǎo)體環(huán)柵晶體管和垂直互補(bǔ)晶體管的陣列驗(yàn)證

應(yīng)用材料推出CVD升級技術(shù) 以支持GAA晶體管結(jié)構(gòu)

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