國家知識產(chǎn)權局信息顯示，萬國半導體國際有限合伙公司申請一項名為“用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管”的專利，公開號 CN 119153460 A，申請日期為 2024 年 5 月。

專利摘要顯示，一種用于功率晶體管的保護結構包括形成在溝槽多晶硅層中的一對或多對背對背 pn 結二極管，所述溝槽多晶硅層設置在形成于半導體襯底中的溝槽中。溝槽多晶硅層的至少一部分在半導體襯底的頂表面上方突出。交替的 N 型摻雜區(qū)和 P 型摻雜區(qū)沿著溝槽的長度形成在溝槽多晶硅層中。當跨功率晶體管的柵極端子和源極端子耦合時，可以有利地應用保護結構來保護功率晶體管免受高電壓 ESD 事件的影響。