近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（m.jycsgw.cn）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會、全國半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。

期間，“平行論壇2：光電子器件及應(yīng)用”上，山東大學(xué)副教授徐明升帶來了“金剛石場效應(yīng)晶體管及深紫外光電探測研究”的主題報告，分享了針對氫終端金剛石MESFET器件、高k柵介質(zhì)的氫終端金剛石MOSFET以及基于金剛石紫外光電探測器的研究進展與成果。

研究探索了金掩膜制備工藝，實現(xiàn)了高性能氫終端金剛石 MESFET 器件。利用 MESFET 器件解決了傳統(tǒng)兩端探測器響應(yīng)度較低的問題。實現(xiàn)了高性能氫終端金剛石 MOSFET 器件。首次在金剛石器件中應(yīng)用 MOSFET 結(jié)構(gòu)進行紫外光響應(yīng)測試，為金剛石基紫外探測器的研究拓展了新思路。同時，針對 MOSFET 結(jié)構(gòu)光電晶體管只在常溫下進行了測試，應(yīng)當在高溫下測試 MOSFET 結(jié)構(gòu)光電晶體管的紫外探測性能，研究氫終端金剛石晶體管器件在高溫等惡劣環(huán)境下的探測性能。

CASICON 系列活動簡介

 “先進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會（CASICON）”由【極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業(yè)綜合活動。活動聚焦先進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點，聚合產(chǎn)業(yè)相關(guān)各方訴求，通過“主題會議+項目路演+展覽”的形式，促進參與各方交流合作，積極推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展。CASICON 系列活動將以助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為己任，聯(lián)合實力資源，持續(xù)輸出高質(zhì)量的活動內(nèi)容，搭建更好的交流平臺，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻應(yīng)盡的力量。

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場整理未經(jīng)嘉賓本人確認，僅供參考?。?/p>